NP2016 20v n沟道增强型MOSFET概述
描述
NP2016使用先进的海沟技术提供优秀的RDS(上)、低门和收费操作门电压2.5 v。Thisdevice适合作为负荷开关或脉宽调制应用程序。
一般特征
VDS =20V，ID R = 16
DS(上)(Typ) = 11.5 mΩ@VGS R= 2.5 v
DS(上)(Typ) = 9 mΩ@VGS = 4.5 v
High 功率 和 电流 处理 能力
应用程序
PWM 应用 程序
负荷开关包
DFN2*2-6L-B
原理图
标记和引脚分配
DFN2 * 2-6L-B
(厚度0.55毫米)
订购信息
典型的性能特征
审核编辑：汤梓红
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