NP2016 20v n沟道增强型MOSFET概述
描述
NP2016使用先进的海沟技术提供优秀的RDS(上)、低门和收费操作门电压2.5 v。Thisdevice适合作为负荷开关或脉宽调制应用程序。
一般特征
VDS =20V，ID R = 16
DS(上)(Typ) = 11.5 mΩ@VGS R= 2.5 v
DS(上)(Typ) = 9 mΩ@VGS = 4.5 v
High 功率 和 电流 处理 能力
应用程序
PWM 应用 程序
负荷开关包
DFN2*2-6L-B
原理图
标记和引脚分配
DFN2 * 2-6L-B
(厚度0.55毫米)
订购信息
典型的性能特征
审核编辑：汤梓红
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
147文章
7158浏览量
213164 -
PWM
+关注
关注
114文章
5186浏览量
213821 -
RDS
+关注
关注
0文章
101浏览量
16847
发布评论请先 登录
相关推荐
AP2222D 20V N沟道增强型MOSFET
铨力授权一级代理商 AP2222D 20V N沟道增强型MOSFET
描述：
AP2222D采用先进的沟槽技术
可提供出色的RDS（ON）
发表于 10-08 11:34
P沟道增强型场效应管有哪些特点
P沟道增强型场效应管（P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称P-MOSFET）是一种基于
简单认识P沟道增强型场效应管
P沟道增强型场效应管，简称P-MOSFET（P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
N沟道增强型MOSFET的优缺点
N沟道增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电子技术中的关键元件
N沟道增强型MOSFET的基本结构和工作原理
N沟道增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）作为半导体器件的重要组成部分
N沟道增强型MOSFET的优缺点是什么
N沟道增强型MOSFET（N-Channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Fiel
mos管增强型与耗尽型的区别是什么
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件，具有高输入阻抗、低驱动功率和良好的线性特性等优点。根据导电沟道的形成方式，MOSFET可以分为增强型
双通道N沟道20V（D-S）MOSFET 9926产品数据手册
电子发烧友网站提供《双通道N沟道20V（D-S）MOSFET 9926产品数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 04-01 17:59
•0次下载
–20V P沟道FemtoFET™ MOSFET CSD25501F3数据表
电子发烧友网站提供《–20V P沟道FemtoFET™ MOSFET CSD25501F3数据表.pdf》资料免费下载
发表于 03-26 14:32
•0次下载
20 V，双N沟道沟槽MOSFET PMDPB30XNA数据手册
电子发烧友网站提供《20 V，双N沟道沟槽MOSFET PMDPB30XNA数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 02-20 10:03
•5次下载
NCE N沟道增强型功率MOSFET NCE3010S数据手册
电子发烧友网站提供《NCE N沟道增强型功率MOSFET NCE3010S数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 01-24 11:06
•2次下载
工商网监
评论