NP2012(20 v n沟道增强型MOSFET)
描述
NP2012使用先进的海沟技术 提供优秀的RDS(上)、低门和收费
操作门电压2.5 v。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制
应用程序。
一般特征
VDS =20V，ID= 12
DS(上)(Typ) = 15 mΩ @VGS= 2.5 v
DS(上)(Typ) = 12 mΩ @VGS= 4.5 v
High 功率 和 电流 处理 能力
应用程序
PWM 应用 程序
Load 开关
封装
DFN2*2-6L-B
原理图
标记和引脚分配
订购信息
典型的性能特征
审核编辑 黄昊宇
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