NP2312MR n沟道增强型MOSFET概述
描述
NP2312使用先进的海沟技术提供优秀的RDS(上)、低门和收费操作门电压2.5 v。这 设备适用于作为负荷开关或脉宽调制应用程序。
一般特征
VDS =20V，ID = 6
DS(上)(Typ) = 13.5 mΩ @VGS = 4.5 v
R DS(上)(Typ) = 17 mΩ @VGS= 2.5 v
High 功率 和 电流 处理 能力
应用程序
PWM 应用 程序
Load 开关
封装
SOT-23-3L
原理图
标记和引脚分配
订购信息
典型的性能特征
审核编辑：汤梓红
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