NP30P10G(100V P沟道增强模式MOSFE)
1.描述
NP30P10G采用先进的沟槽技术并设计为提供出色的RDS(ON)
2.一般特征
* 带低门
* 冲锋。它可以用于广泛的应用。
VDS=-100V ID
R=-30a
DS(ON)（典型值）=36 MΩ@VGS
R=-10V
DS(ON)（典型值）=40 MΩ@VGS
* 高功率和电流处理能力
=-4.5V
* 获得无铅产品
* 表面贴装封装
3.应用程序
* 负荷开关
4.包装
TO-252-2L
5.示意图
审核编辑 黄昊宇
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