NP2300BHR(20 v n沟道增强型MOSFET)
描述
NP2300BHR使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费
超低密度细胞设计导通电阻。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制
应用程序。
一般特征
VDS =20V，ID =5A
RDS(上)(Typ) = 26 mΩ@VGS = 4.5 v
RDS(上)(Typ) = 36 mΩ@VGS = 2.5 v
High 功率 和 电流 处理 能力
Lead 免费 产品
Surface 安装 包
应用程序
PWM 应用 程序
Load 开关
封装
ESOT-23-3L
原理图
标记和引脚分配
订购信息
审核编辑 黄昊宇
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发表于 09-23 15:03
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