NP3416EMR(20V N沟道增强模MOSFET)
1.描述
NP3416EMR采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（开启）、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V时工作。这个装置适用于负载开关或PWM申请。
2.一般特征
* VDS=20V，ID=7A
RDS(ON)（典型值）=17.3 MΩ@VGS=2.5V
RDS(ON)（典型值）=13.6 mΩ@VGS=4.5 V
（1）高功率和电流处理能力
* 获得无铅产品
* 表面贴装封装
·ESD额定值：3500V HBM
3.应用程序
* PWM应用
* 负荷开关
4.包装
SOT-23-3L
5.示意图
审核编辑 黄昊宇
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