NP3416BEMR(20V N沟道增强模MOSFET)
1.描述
NP3416BEMR采用先进的沟槽提供出色的RDS（开）、低栅电荷的技术和低至1.8V的栅极电压工作。这个该器件适合用作负载开关或PWM申请。
2.一般特征
VDS=20V，ID=4A
RDS(ON)（典型值）=18.5 mΩ@VGS=4.5 V
RDS（ON）（典型值）=23.3 mΩ@VGS=2.5V
（1）高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装封装
额定ESD：2500V HBM
3.应用程序
PWM应用
负荷开关
4.包装
SOT-23-3L
5.示意图
审核编辑 黄昊宇
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
151文章
10808浏览量
234940 -
MOS
+关注
关注
32文章
1759浏览量
101237
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
深入解析 FDV305N：20V N 沟道 PowerTrench MOSFET
深入解析 FDV305N：20V N 沟道 PowerTrench MOSFET 在电子设计领域，MOS
Onsemi NTMC083NP10M5L双沟道MOSFET：设计与应用的理想之选
双沟道MOSFET，集成了N沟道和P沟道，采用SO8封装。它的耐压能力出色，N
深入解析FQD18N20V2 N沟道MOSFET：特性、参数与应用
）的FQD18N20V2 N沟道MOSFET，了解其特性、参数以及应用场景。 文件下载： FQD18N20V2-D.PDF 一、产品概述 F
SGMNE12220：20V 单 N 沟道 MOSFET 的特性与应用解析
SGMNE12220：20V 单 N 沟道 MOSFET 的特性与应用解析 在电子设计领域，MOSFET 作为关键的功率开关元件，其性能直接
探索CSD85312Q3E：双20V N沟道NexFET™功率MOSFET的卓越性能
探索CSD85312Q3E：双20V N沟道NexFET™功率MOSFET的卓越性能 在电子设备不断追求小型化、高效化的今天，功率MOSFET
CSD85301Q2：20V双N沟道NexFET™功率MOSFET的卓越之选
CSD85301Q2：20V双N沟道NexFET™功率MOSFET的卓越之选 在电子设计领域，功率MOSFET作为关键元件，其性能直接影响着
探索CSD85302L 20V双N沟道NexFET™功率MOSFET的卓越性能
探索CSD85302L 20V双N沟道NexFET™功率MOSFET的卓越性能 在电子工程师的日常设计中，选择合适的功率MOSFET至关重要
选型手册：VS2622AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VS2622AE是一款面向20V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持2.5
选型手册：VS6808DH 共漏极双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VS6808DH是一款面向20V低压场景的共漏极双通道N沟道增强型功率MOSFET，支持2.0
选型手册：VS2301BC P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VS2301BC是一款面向-20V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，采用SOT23小封装，适配小型化低压电源的负载开关、电源通路控制等领域。一、产品基本信息器件类
选型手册：VS2646ACL N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VS2646ACL是一款面向20V低压小电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT23小型封装，适配低压小型化电路的
选型手册：MOT2514J N 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子（MOT）推出的MOT2514J是一款面向20V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借高密度单元设计实现的超低导通电阻，适用于
选型手册：MOT2914J 双 N 沟道增强型 MOSFET
仁懋电子（MOT）推出的MOT2914J是一款双N沟道增强型MOSFET，凭借20V耐压、超低导通电阻及优异的高频开关特性，适用于DC/DC
FS8205 20V N 沟道增强型MOS场效应管技术手册
电子发烧友网站提供《FS8205 20V N 沟道增强型MOS场效应管技术手册.pdf》资料免费下载
发表于 09-23 15:03
•2次下载
ZSKY-20N03D-20ATO252-2L N沟道增强型MOSFET规格书
电子发烧友网站提供《ZSKY-20N03D-20ATO252-2L N沟道增强型MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
发表于 05-13 18:24
•0次下载
评论