NP3416BEMR(20V N沟道增强模MOSFET)
1.描述
NP3416BEMR采用先进的沟槽提供出色的RDS（开）、低栅电荷的技术和低至1.8V的栅极电压工作。这个该器件适合用作负载开关或PWM申请。
2.一般特征
VDS=20V，ID=4A
RDS(ON)（典型值）=18.5 mΩ@VGS=4.5 V
RDS（ON）（典型值）=23.3 mΩ@VGS=2.5V
（1）高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装封装
额定ESD：2500V HBM
3.应用程序
PWM应用
负荷开关
4.包装
SOT-23-3L
5.示意图
审核编辑 黄昊宇
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