NP2302FVR-YB(20v n沟道增强型MOSFET)
描述
NP2302FVR-YB使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费
超低密度细胞设计导通电阻。这个设备适用于使用作为PWM负荷开关或应用程序。
一般特征
VDS =20V，ID =2.3A
RDS(上)(Typ) = 68 mΩ@VGS = 2.5 v
RDS(上)(Typ) = 50 mΩ@VGS = 4.5 v
High 功率 和 电流 处理 能力
Lead 免费 产品
Surface 安装 包
应用程序
PWM程序
负荷开关
封装
SOT-23
原理图
标记和引脚分配
订购信息
审核编辑 黄昊宇
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