NP30P03D6 30V p通道增强模式MOSFET

描述

NP30P03D6采用先进的沟槽技术

提供优良的RDS(ON)，本设备适合使用

作为负载开关或PWM应用。

一般特征

VDS = -30v, id = -30a

RDS(上)(Typ) = 8 mΩ@VGS = -10 v

RDS(上)(Typ) = 12.5Ω@VGS = -4.5 v

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装包

150℃的工作温度

100% ui测试

应用程序

PWM程序

负荷开关

不间断电源

包

PDFN5 * 6-8L-A

订购信息

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)

电特性(除非另有说明，TA=25℃)

热特性

答:R qJA是用设备安装在1in 2 FR-4单板上2oz测量的。铜，在静止的空气环境中

T = 25°C。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。

B: R qJA是从结到引线R qJL和引线到环境的热阻抗之和。

审核编辑 黄昊宇