NP2102EKR(20 v n沟道增强型MOSFET)
描述
NP2102EKR设计最小化开态电阻(RDS(上)),但维护优越的切换性能,使它适合高效率电源管理应用程序。
一般特征
VDS =20V，ID =750mA
RDS(上)(Typ) = 0.25Ω@VGS = 10 v
RDS(上)(Typ) = 0.35Ω@VGS = 4.5 v
High 功率 和 电流 处理 能力
Lead 免费 产品
Surface 安装 包
ESD Rating: 2000 V HBM
应用程序
PWM程序
负荷开关
封装
SOT - 523
原理图
标记和引脚分配
订购信息
审核编辑 黄昊宇
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