NP30N03LD6（30 v n沟道增强型MOSFET）
描述
NP30N03LD6使用沟技术独特的优化提供最有效的高频率切换的性能。两个传导由于一个和交换式电源损失最小化
极低的RDS(上)和路上的组合。这设备是高频开关和理想同步整流。
一般特征
VDS =30V，ID =30A
RDS(上)(Typ) = 25 mΩ@VGS = 4.5 v
RDS(上)(Typ) = 45 mΩ@VGS = 2.5 v
Very 低 导 通 电阻 RDS(on)
150 °C 操作 温度
100% UIS 测试
应用程序
Synchronus Rectification DC/DC AC/DC转换器
Industrial 和 Motor Drive 应用 程序
原理图
标记和引脚分配
订购信息
审核编辑 黄昊宇
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