NP30N03LD6（30 v n沟道增强型MOSFET）
描述
NP30N03LD6使用沟技术独特的优化提供最有效的高频率切换的性能。两个传导由于一个和交换式电源损失最小化
极低的RDS(上)和路上的组合。这设备是高频开关和理想同步整流。
一般特征
VDS =30V，ID =30A
RDS(上)(Typ) = 25 mΩ@VGS = 4.5 v
RDS(上)(Typ) = 45 mΩ@VGS = 2.5 v
Very 低 导 通 电阻 RDS(on)
150 °C 操作 温度
100% UIS 测试
应用程序
Synchronus Rectification DC/DC AC/DC转换器
Industrial 和 Motor Drive 应用 程序
原理图
标记和引脚分配
订购信息
审核编辑 黄昊宇
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
152文章
10894浏览量
235438 -
MOS
+关注
关注
32文章
1801浏览量
101433
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
选型手册：VS3620GPMC N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VS3620GPMC是一款面向30V低压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x
选型手册：VSP002N03MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VSP002N03MS-G是一款面向30V低压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET
选型手册：VSD004N03MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VSD004N03MS是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET
选型手册：VSB012N03MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VSB012N03MS是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET
选型手册：VS3603GPMT N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VS3603GPMT是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x
选型手册：VS3612GP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VS3612GP是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x
选型手册：VS3602GPMT N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VS3602GPMT是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x
选型手册：VS3610AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VS3610AP是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持5V
选型手册：VS3622AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VS3622AP是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x
选型手册：VSE002N03MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VSE002N03MS-G是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET
选型手册：MOT50N03C N 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET
选型手册：MOT50N03D N 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFE
ZK30N100T N沟道增强型功率MOSFET技术手册
ZK30N100T是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET，文档从核心特性、关键参数、应用场景、封装与包装、电气及热特性、测试电
发表于 10-16 16:23
•1次下载
评论