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第三代半导体或将迎来发展浪潮

Big-Bit商务网 来源:哔哥哔特商务网 作者:哔哥哔特商务网 2022-07-20 15:16 次阅读

据统计,目前国内以SiC、GaN为代表的第三代半导体主要制造商已达147家。

第三代半导体是以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体材料,适用于高温、高压、高功率应用场景,有助于节能减排,也是实现“双碳”目标的重要方向。近些年,国家相关政策陆续出台,持续加码第三代半导体,科技创新如火如荼。第三代半导体蓬勃发展已经拥有坚实的政策及科研支持基础。

半导体材料是半导体产业链上游中的重要组成部分,在集成电路、分立器件等半导体产品生产制造中起到关键性作用。Si目前是技术最成熟、使用范围最广、市场占比最大的衬底材料,但近年来Si材料的潜力已经开发殆尽,在高压、高频、高温领域以SiC和GaN为代表的的第三代半导体材料衬底材料市场规模有望迎来快速发展。

从整体产值规模来看,据CASA数据,我国第三代半导体整体产值超7100亿元,2023年第三代半导体材料渗透率有望接近5%。从渗透率角度来看,Yole数据显示,Si仍是半导体材料主流,占比95%。随着第三代半导体渗透率逐年上升,SiC的渗透率在2023年有望达到3.75%,GaN渗透率在2023年达到1.0%,第三代半导体渗透率总计4.75%。

在节能需求方面,SiC功率器件相比硅器件可降低50%以上的能源消耗,减少75%以上的设备装置,有效提升能源转换率。而GaN具有转换效率高、功率密度高、散热能力好等优势,可以成就高效、节能、更小体积的设备。

第三代半导体的应用,可以有效降低二氧化碳的排放量。据统计,借助第三代半导体新技术,每生产10万片SiC晶圆可较常规的生产方式减少4,000吨的碳排放。与目前的硅基IGBT相比,第三代半导体新技术的环保效益显然更胜一筹。

目前第三代半导体材料已逐渐进入各汽车集团的主流供应链中,其中SiC衬底作为关键材料,市场以海外厂商为主导,国内企业市场份额较小。随着技术成熟,SiC衬底将成为第三代半导体材料的布局热点。

从国内全产业链来看,第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链布局也逐渐完善,基本已经实现覆盖,可完全自主可控。据统计,目前国内第三代半导体主要制造商共147家,其中SiC产业链相关公司已达104家,GaN产业链相关公司有43家。

高压、高频领域或将实现对硅基的全面替代

目前,新能源汽车、光伏、特高压输电、储能等细分领域普遍发展的痛点为开关损耗、导通损耗、热管理、充电速度等。而SiC功率器件的耐高压、耐高温、低损耗、体积小等性能优势直击新能源行业的发展痛点,满足新能源行业的发展需求。伴随下游应用需求推动,上游供给也将迎来高速发展阶段。

特别是在兼容高压中频的基础上,SiC MOSFET凭借其高效率、小体积的特性成为电动汽车、充电桩、光伏逆变等领域的理想解决方案,而GaN MOSFET在1000V以下的快充、电动汽车等中低压领域有较大的的应用潜力。相比传统的硅基器件,待成本下降,性能更优的第三代半导体器件在高压、高频领域或将实现对硅基的全面替代。

总体来说,无论是SiC还是GaN,当前都还处于应用初期。随着SiC、GaN技术逐步成熟,产能持续扩张以及成本快速下降,第三代半导体在PD快充、新能源、5G通讯、数据中心等市场将放量增长,并在“双碳”目标的实现中发挥更大价值。

如今,第三代半导体材料极其重要的战略性应用价值不言而喻。对于企业而言,未来在布局的过程中,需要抓住主要市场,从而把握市场先机。从当前的技术基础和应用前景来看,未来全球有望迎来第三代半导体扩产热潮。为了匹配日益增长的市场需求,第三代半导体企业可通过调整业务领域、扩大产能供给、整合并购等方式,强化在第三代半导体材料领域的布局。

同时为了进一步深度探讨SiC和GaN技术的应用和发展,了解目前第三代半导体企业的市场布局和发展情况,2022年9月29日,2022'中国电子热点解决方案创新峰会将在深圳深铁皇冠假日酒店5楼宴会厅正式举办。届时,欢迎现场到2022'第三代半导体技术研讨会进行聆听、交流。

值得一提的是,2022'中国电子热点解决方案创新峰会更具五大硬核亮点,热点话题和展商参与极具阵容。

审核编辑:汤梓红
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