技术提问
Q1:
虽说Si24R2E布局走线非常简单,是否有提供建议参考,可以避免一些误区?
A1:
有的。芯片数据手册上有标准的参考原理图,同时我们会提供一份《Si24R2E硬件设计指南》,避免客户在设计过程中的一些问题,减少后期调试改板等工作。
Q2:
我看到大多数Si24R2E的板子上都会加一颗100uf的钽电容,具体作用是什么?
A2:
因为Si24R2E主要针对是低功耗有源标签应用,一般是纽扣电池供电,加100uf钽电容可以有效稳定供电,同时保护电池延长电池寿命。
Q3:
Si24R2E SPI 输入口必须强制10K电阻上拉,否则静态电流异常。如果这个10K上拉电阻没有加,会有什么影响?
A3:
静态电流会大一些。对于芯片的烧录以及芯片的烧录均没有影响,但是我们强烈建议加上这几个10K上拉电阻,主要还是稳定性更好。
Q4:
Si24R2E是如何进行芯片烧录的?是否可以外挂MCU控制?
A4:
正常是通过我司提供的PC端芯片烧录上位机编程器进行程序的下载,测试与量产都非常的方便。同时也支持外接MCU控制。
Q5:
Si24R2E/Si24R2F/Si24R2H,三款产品有什么区别?
A5:
三款芯片均是脱胎于Si24R1,主要的区别是针对应用领域不同,所以功能有所差异。
Si24R2F兼容Si24R2E情况下新增了部分功能:
1.自动发射模式下,最多支持4个不同信道轮询发射;
2.集成温度监测和报警功能(开启温度监测,每次发射数据都会包含芯片工作环境温度数据);
3.支持按键发射功能;
4.支持发射数据加密。
Si24R2H相比Si24R2E有几个较大的区别:
1.R2H功率要高于R2E。分别是12dBm和7dBm;
2.封装不一样,分别是R2H QFN32和R2E QFN20;
3.R2H内置125K,R2E则没有;
4.跳频通道不一样,R2H只支持4通道跳频,R2E只支持3通道跳频;
5.内置NVM寄存器烧写次数不一样,R2H可烧写次数较少为32次,R2E为128次;
6.R2H支持数据加密功能,R2E则不支持;
7.R2H支持内部测温,NTC测温,外挂温湿度传感器。R2E则不支持。
如果您还有其他技术问题未得到解决,可以在评论区留言一起交流,我们有专业的技术团队给您提供强大的技术支持!
ENDING
深圳市动能世纪科技有限公司,是一家物联网核心射频芯片供应商,作为IOT行业最靠近应用层的一环,一直致力于将更好的产品推向RFID的市场和各种射频的应用领域,产品覆盖于125K, 13.56M, Sub-1G, 2.4G, BLE, LoRa, ZigBee, Wi-Fi以及低功耗MCU,在校讯通、物流管理、电动车防盗、人员定位等RFID领域已经占据主要地位,得到了物联网客户群的广泛认可,真正做到IoT领域一站式服务。
审核编辑 黄昊宇
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