干法刻蚀去除光刻胶的技术
光刻胶在做完后续成形工艺之后，PR就不需要了，而且还要去除的很干净，减少多后续工艺的影响。
去除光刻胶的方法主要有干法和湿法，湿法是主流，但是对于一些ICP或者离子注入工艺后发生“硬化”的光刻胶，湿法就会出现去胶不干净的情况。
因此就有了干法刻蚀去除光刻胶的技术，从20世纪70年代末开始，干法工艺采用灰化Ashing来去除光刻胶。
灰化，简单的理解就是用氧气把光刻胶燃烧掉，光刻胶的基本成分是碳氢有机物，在射频或微波作用下，氧气电离成氧原子并与光刻胶发生化学反应，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通过泵被真空抽走，完成光刻胶的去除。
在干法去除机中，等离子体由微波，射频和UV臭氧源共同作用产生。
也有用CF4的。
工艺条件也和设备不同有关，一般处理10min~20分钟，根据产品特性而定，
有时候也先用干法刻蚀去胶再用湿法去胶清洗。
但是有时候还是不能去除干净，就只能用笨方法擦了，大家有什么好方法也可以互相交流。
审核编辑 ：李倩
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
光刻胶
+关注
关注
10文章
322浏览量
30453 -
刻蚀
+关注
关注
2文章
192浏览量
13222
原文标题：如何去除光刻胶
文章出处：【微信号：dingg6602，微信公众号：芯片工艺技术】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
干法刻蚀时侧壁为什么会弯曲
离子轰击的不均匀性 干法刻蚀通常是物理作用和化学作用相结合的过程，其中离子轰击是重要的物理刻蚀手段。在刻蚀过程中，离子的入射角和能量分布可能不均匀. 如果离子入射角在侧壁的不同位置存在差异，那么
芯片制造中的湿法刻蚀和干法刻蚀
”工艺则是在图形化掩膜（多为光刻胶）的帮助下，通过各种复杂的物理和化学作用将被刻蚀材料层特定位置的材料去除或改性，实现对被刻蚀材料层的精细加工和雕刻。
干法刻蚀侧壁弯曲的原因及解决方法
弯曲？ 1，离子从光刻胶掩模边缘散射，以特定角度进入刻蚀区域，导致侧壁形貌的偏差。这种散射取决于掩模的倾斜角度，如果角度较大，散射更显著。 2，离子在鞘层中的散射：如果工艺压力过高，在等离子体鞘层中，离子的碰撞和散射频
晶圆表面温度对干法刻蚀的影响
本文介绍晶圆表面温度对干法刻蚀的影响 表面温度对干法刻蚀的影响主要包括：聚合物沉积，选择性，光刻胶流动、产物挥发性与刻蚀速率，表面形貌等。 聚合物沉积 ：工艺过程中产生的聚合物会在
干法刻蚀工艺的不同参数
本文介绍了干法刻蚀工艺的不同参数。 干法刻蚀中可以调节的工艺参数有哪些？各有什么作用？ 1，温度：晶圆表面温度，温度梯度 晶圆表面温度：控制刻蚀表面的化学反应速率和产物的挥发性 温度梯度
一文看懂光刻胶的坚膜工艺及物理特性和常见光刻胶
共读好书关于常用光刻胶型号也可以查看这篇文章：收藏！常用光刻胶型号资料大全，几乎包含所有芯片用光刻胶欢迎扫码添加小编微信扫码加入知识星球，领取公众号资料
如何成功的烘烤微流控SU-8光刻胶？
在微流控PDMS芯片加工的过程中，需要使用烘胶台或者烤胶设备对SU-8光刻胶或PDMS聚合物进行烘烤。SU-8光刻胶的烘烤通常需要进行2-3次。本文简要介绍SU-8
光刻胶的硬烘烤技术
根据光刻胶的应用工艺，我们可以采用适当的方法对已显影的光刻胶结构进行处理以提高其化学或物理稳定性。通常我们可以采用烘烤步骤来实现整个光刻胶结构的热交联，称为硬烘烤或者坚膜。或通过低剂量紫外线辐照
光刻胶后烘技术
后烘是指（post exposure bake-PEB）是指在曝光之后的光刻胶膜的烘烤过程。由于光刻胶膜还未显影，也就是说还未闭合，PEB也可以在高于光刻胶软化温度的情况下进行。前面的文章中我们在
光刻胶的保存和老化失效
我们在使用光刻胶的时候往往关注的重点是光刻胶的性能，但是有时候我们会忽略光刻胶的保存和寿命问题，其实这个问题应该在我们购买光刻胶前就应该提出并规划好。并且，在
一文读懂半导体工艺制程的光刻胶
光刻胶按照种类可以分为正性的、负性的。正胶受到紫外光照射的部分在显影时被去除，负胶受到紫外光曝光的地方在显影后被留下。
关于光刻胶的关键参数介绍
与正光刻胶相比，电子束负光刻胶会形成相反的图案。基于聚合物的负型光刻胶会在聚合物链之间产生键或交联。未曝光的光刻胶在显影过程中溶解，而曝光的光刻胶
工商网监
评论