线性状态下的SiC MOSFET-电子发烧友网

SiC MOSFET在开/关切换模式下运行。然而，了解其在线性状态下的行为是有用的，当驱动程序发生故障或设计人员为特定目的对其进行编程时，可能会发生这种情况。

电子元件的线性区（或有源区）是所有可用电流都无法流通的区域，它充当电流调节器。

不言而喻，功耗极高，而效率却极低。

但是，在某些情况下，电子元件在线性区域中运行，导致以下结果：

栅极电压V g不在厂家设定的正负极限，而是位于中心区域附近；

漏源电压V ds不接近于零，而是处于高得多的电压；

漏极电流 I d由重要值表征；

组件耗散的功率非常高；

元件温度也很高；

电路效率低。

线性区可用于为采用 SiC MOSFET 的无线电发射器创建 A 类模拟音频放大器，但也可能在组件驱动器发生故障时发生。因此，设计人员应控制 MOSFET 之前的电路。

MOSFET的电气图和线性操作

在我们的示例中使用了具有下列属性的 SiC MOSFET 型号 C3M0160120D。图 1描述了接线图。

V ds ： 1，200 V

I d ： 17 A， 25 ˚C

RDS （开）：160 m Ω

静态状态下的栅极电压：-4 V 至 15 V

最大功耗：97 W

在以下直流模拟中，栅极上的电压跨越制造商指定的整个范围（从 -4 V 到 15 V），当然不会超出这些限制。

该电路使用低电流为负载供电，不会对半导体施加任何压力。

测试的目的是查看组件的各种参数，尤其是当它们在关闭或开启区域中不起作用时。

仿真还跟踪结点和散热器温度。

图 1：SiC MOSFET 线性区操作的接线图。

接线图包括一个 200-V （V1）电源、一个非常坚固的 100- Ω 电阻负载（R1）、 C3M0160120D SiC MOSFET （U1）和一个可变电压发生器（从 -4 V 到 15 V），用于用驱动功能（V2）驱动 MOSFET 栅极。图中还包括一个散热器。

直流扫描的模拟

该系统的电气仿真不包括瞬态模式，而是直流扫描模式，其中所有栅极的电源电压都将在 -4 V 至 15 V 的范围内以 10 mV 的步长进行检查。

您可以通过这种方式看到 MOSFET 如何对不同的栅极电压做出反应。以下是用于运行此类仿真的 SPICE 指令：

.dc v2 -4 15 0.01

该系统的电气仿真没有瞬态模式，而是直流扫描模式，其中将在 -4 V 至 15 V 的范围内以 10 mV 的步长研究所有栅极的电源电压。

加载电流图

我们要查看的第一张图是图 2 中的图，它显示了流经负载的电流作为栅极电压的函数。栅极上的电压由 X 轴表示，而负载上的电流由 Y 轴表示。

如您所见，该图可以分为三个不同的区域：

该组件位于左侧的遮断区域（蓝色），因为栅极电压（从 -4 V 到 3 V）不足以导通器件。在这种情况下，MOSFET 不传导电流，DS 结实际上是开路（约 400 M Ω）。

因为栅极电压（从 7 V 到 15 V）足以使器件在决定时导通，所以器件位于右侧区域（绿色），其中组件处于饱和区。在这种情况下，MOSFET 传导最大电流，DS 结实际上是一个闭合电路（约 160 m Ω）。

元件位于线性区域的中心区域（红色）是栅极电压（从 3 V 到 7 V）允许器件传导部分电流的位置。在这种情况下，MOSFET 会发热很多，并用作低效率电流调节器。DS 结的欧姆电阻在 6 k Ω和 2 Ω 之间。

图 2：负载电流与栅极电压的关系图

设备消耗的功率

在前面的示例中，流经器件的电流代表典型操作，因为 DS 通道的欧姆电阻会随着栅极电压的升高而降低。栅极上的电压表示在 X 轴上，MOSFET 消耗的功率表示在 Y 轴上。

另一方面，如图 3 中的图表所示，耗散功率的轨迹非常引人注目。在这种情况下，还可以看到三个单独的部分：

左侧区域的栅极电压在 -4 V 和 2 V 之间。在这种情况下，MOSFET 处于禁用状态，没有电流从负载流出，耗散功率几乎为零。

右侧区域的栅极电压在 6 V 和 15 V 之间。在这种情况下，MOSFET 处于完全饱和状态，最大电流通过负载，平均耗散功率为 1.5 W。这种耗散是由于 R DS（on）的值，尽管它非常低，但在现代技术状态下还不等于零。

由于栅极电压在 2 V 和 6 V 之间，MOSFET 位于中心区域的线性区域。在这种情况下，MOSFET 处于有源区，并且耗散功率非常高，在 100 W 左右达到峰值，并导致大量热量积聚。虽然理论上避免将半导体的工作区域置于此范围内是至关重要的，但在某些情况下，设计人员会故意选择这样做。

图 3：MOSFET 功耗与栅极电压的关系图

效率

系统的效率也与 MOSFET 消耗的功率成反比。请记住，计算通用电路效率的公式如下。

图 4 中的图表显示了与栅极电压相关的电路效率趋势。当后者大约在 2 V 和 5.5 V 之间时，MOSFET 工作在线性区域，因此系统的效率不是最佳的。

当设备处于饱和区时，该值几乎达到 100%。X 轴代表栅极上的电压，Y 轴代表电路的效率，以百分比表示。

图 4：系统效率与栅极电压的关系图

MOSFET的工作温度

器件和散热器之间的结温控制也是一个非常重要的特权，它允许设计人员正确确定所涉及的电流和冷却系统的尺寸。由于采用了 LTspice 库中提供的 SOAtherm-HeatSink 模型，只要 SPICE半导体组件配备“T c ”和“T j ”端子，就可以监控两个温度。在这个例子中，散热器的材料是铝。其热阻（Rθ）等于 0.2°C/W。模拟的环境温度为 25°C。最后，电子元件与散热器的接触面积为300 mm 2，而后者的体积为5，000 mm3 。

最后，在图 5的图表中，可以观察到与结和散热器相关的温度趋势。尽管图表将它们报告为以伏特表示的电压，但它们是以摄氏度表示的成熟温度。请记住，域是栅极电压的域，而不是时间的域。

该图显示了两种不同的情况：

在 MOSFET 的阻断和饱和区，结温和散热器温度实际上等于环境温度，相当于 25°C，而栅极电压介于 -4 V 和 2 V 之间，然后介于 9 V 和 15 V 之间。

在线性区，温度很关键，在最高峰时，结达到 230°C，散热器达到 103°C。在这些条件下，显然 MOSFET 被破坏了。

图 5：结和散热器温度与栅极电压的关系图

音频放大器

在线性状态下使用 SiC MOSFET 制作 A 类音频放大器是一个有趣的实验（参见图 6中的原理图）。今天，使用 A 类放大器极为罕见。但是，当您需要以非常小的失真放大信号时，A 类放大器非常有用。从音频的角度来看，在这种情况下，设备在其完整的线性区域内工作，确保了高效的性能。主要缺点是 A 类放大器会产生大量热量以消散，因为即使没有音频信号，MOSFET 和负载电阻也必须消耗大量电流。因此，系统始终以最大可用功率工作。