MOS名称/特点/结构/工作原理

1、MOS名称

MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。场效应晶体管(Field EffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。

所以全称缩写为：MOSFET,在正式的场合均用MOSFET(设计文稿、专业论坛、文章)而不用MOS。

2、MOS特点

由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10的8次方Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为三极管的强大竞争者。

场效应管(FET)是利用控制输入回路(栅极控制)电场效应来控制输出回路(IDS)电流的一种半导体器件，并以此命名.

3、MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管的结构

4、MOSFET工作原理

N MOS工作原理：当VDS加正向电压，VGS未加电压时，两个N型半导体材料中间有P型半导体，有一个PN结始终处于反偏状态，所以MOS不导能。如下图，在VGS加正向电压时，金属与半导体中间有绝缘层不导通，但形成的电场将P型半导体的多子(空穴)向下推开，吸引两个N型半导体的多子(电子)在绝缘层下形成通道，两个N型半导体导通。控制VGS大小(即形成的电场)即可控制沟道的宽度，从而控制IDS电流的大小。

P MOS工作原理：当VDS加反向电压，VGS未加电压时，两个P型半导体材料中间有N型半导体，有一个PN结始终处于反偏状态，所以MOS不导能。如下图，在VGS加反向电压时，金属与半导体中间有绝缘层不导通，但形成的电场将N型半导体的多子(电子)向下推开，吸引两个P型半导体的多子(空穴)在绝缘层下形成通道，两个P型半导体导通。控制VGS大小(即形成的电场)即可控制沟道的宽度，从而控制IDS电流的大小。

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