功率MOSFET设计–功耗计算

功耗是传导损耗和开关损耗的总和，传导损耗也称为静态损耗。另一方面，开关损耗也称为动态损耗。总MOSFET功率损耗为：

Pdiss = Pconduction +Pswitching

需要注意的是：当在不执行连续开关的电路中使用MOSFET时，也就是MOSFET常开或常闭，并非在PWM模式工作，此时仅考虑传导损耗即可。

Pconduction = Idrain x Rdson x Idrain

其中Pconduction表示传导损耗，Idrain表示是漏极电流，Rdson是漏极到源极的导通电阻。

Pswitching = Pgatecharge + PCoss + Ptrise_tfall

Pgatecharge = 0.5 X Qgtotal X Vgate X Fsw

Pcoss = 0.5 X Coss X Vdrain 2 X Fsw

Ptrise_tfall = 0.5 X (trise + tfall) X Idrain X Vgate X Fsw

其中：

Pswitching是开关损耗；

Pgatecharge是MOSFET导通期间的功率损耗；

PCoss –是由于输出动态电容引起的功率损耗；

Ptrise_tfall –是由于MOSFET漏极电压的上升和下降时间造成的功率损耗

Qgtotal –是规格书中给出的总栅极电荷

Vgate –是施加的栅源电压

Fsw –是开关频率

Coss –是输出动态电容

Vdrain –是最大漏极电压电平

trise –漏极电压的上升时间

tfall –漏极电压的下降时间

审核编辑：汤梓红