光刻工艺中使用的曝光技术

1 Photolithographie

1.1博览会方法

1.1.1概述

根据所使用的辐射，有不同类型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、电子束光刻、x射线光刻、光刻和离子束光刻。在光学光刻技术中，有部分不透明和部分不透明的图案掩模(光片)半透明区域被使用。紫外线辐射或气体激光的照射以1:1的比例完成或者以4:1或10:1的比例减少。

1.1.2接触接触

接触暴露是最古老的方法。掩模直接与抗阻层，结构按1:1的比例转移。因此破坏性的散射或者衍射效应只出现在结构的边缘。这种方法允许只有中等大小的特征。因为所有的芯片都同时暴露在晶圆上生产能力非常高，光刻装置结构简单。然而，缺点是明显的:掩膜被污染，因为它的contact抵抗，可以划伤以及抵抗层可以被损坏。如果有在掩模和抗蚀剂之间有微粒存在，光学成像会退化。

1.1.3近距离接触

在近距离曝光中，掩模和抗蚀剂没有直接接触。因此只有一个阴影投影在晶圆上，导致结构的分辨率更差，因此避免了接触问题

1.1.4投影

投影曝光采用所谓的步骤-重复技术。因此只有一次一个或几个模具投射到晶圆上。整个晶圆露出来一步一个脚印，死一个脚印。

这种方法的优点是将十字线上的结构放大4倍或10倍。如果这些结构以缩小的尺寸投射到晶圆上，像粒子这样的缺陷也会减少。与其他曝光方法相比，分辨率是im证明。此外，面罩上还附着一层薄薄的薄膜，因此微粒就会附着在面罩上遮住面罩，在投影时失去焦距。除了用透镜投影外，还用一套复杂的镜子系统投影可以使用(比例1:1)。与透镜相比，它没有色差和热差掩模的展开度可以调节。然而，镜像可以被扭曲。由于1:1的比例，分辨率有限。

审核编辑：汤梓红