三星成为全球首家批量生产3纳米芯片的厂家
最近，三星旗下华城工厂开始批量生产第一批采用3纳米全环绕栅（GAA）工艺节点的芯片，成为全球第一家批量生产3纳米芯片的半导体晶圆厂。
与前几代使用finfet的芯片不同，第一代3nm工艺使用GAA晶体管技术，突破了finfet的性能限制，大大提高了性能和效率。
据三星官员介绍，新开发的第一代3纳米工艺采用GAA晶体管技术，可以降低功耗45%，提高性能23%，减少面积16%。此外，三星首次将纳米芯片晶体管应用于高性能和低功耗计算应用的半导体芯片，并计划扩展到移动处理器。
综合澎湃新闻和数字尾巴整合
审核编辑：郭婷
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体
+关注
关注
335文章
27970浏览量
225117 -
晶圆
+关注
关注
52文章
5021浏览量
128607 -
三星
+关注
关注
1文章
1645浏览量
31772
发布评论请先 登录
相关推荐
英伟达、高通或转单三星2纳米工艺
近日，据SamMobile的最新消息，英伟达和高通两大芯片巨头正在考虑对其2纳米工艺芯片的生产策略进行调整。具体来说，这两家公司正在评估将部分原计划在台积电
现代汽车与三星电子洽谈自动驾驶芯片制造合作
近日，据报道，现代汽车与三星电子正就合作制造自动驾驶汽车芯片进行深入谈判。此次合作旨在利用三星电子先进的汽车半导体生产线，为现代汽车正在研发的自动驾驶
MES系统如何支持多品种小批量生产
MES系统（制造执行系统）在多品种小批量生产环境中发挥着至关重要的作用。它通过一系列先进的技术手段，提高了生产线的灵活性和效率，从而有效地支持了多品种小批量生产。
三星电子发布为可穿戴设备设计的首款3纳米工艺芯片
近日，三星电子震撼发布了其专为可穿戴设备设计的首款3纳米工艺芯片——Exynos W1000，标志着该公司在微型芯片技术领域的又一重大突破。
英特尔3nm制程工艺“Intel 3”投入大批量生产
据外媒最新报道，全球知名的处理器大厂英特尔在周三宣布了一个重要的里程碑：其先进的3nm级制程工艺技术“Intel 3”已在两个工厂正式投入大批量生产
三星量产第九代V-NAND闪存芯片，突破最高堆叠层数纪录
三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND （3D NAND） 闪存芯片，这是继之前的236层第八代V-NAND后的显著提升，也代表着当前行
SK海力士与三星将率先量产1c纳米DRAM
在近期举办的行业盛会Memcon 2024上，三星公司透露了其宏伟的量产计划，预计在今年年底前，他们将成功实现1c nm制程的批量生产。
三星Galaxy Watch7将搭载Exynos W940芯片，性能显著提升
之前已有报道指明，Exynos W940芯片即基于全面升级的Exynos 5535（内部型号，非市场命名），预期将成为三星首次商业化应用的3纳米
受困于良率？三星否认HBM芯片生产采用MR-MUF工艺
芯片生产中应用MR-MUF（批量回流模制底部填充）技术的传言并不属实。 三星在HBM生产中目前主要采用非导电薄膜（NCF）技术，而非SK
三星的HBM3芯片生产良率约为10-20%！
3月13日消息，据外媒报道，三星电子将采用竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜（NCF）技术。
三星3纳米良率不足60%
.件商.城了解，三星的3纳米制程良率目前仍不足60%，这意味着在制造过程中存在较高的失败率，可能导致生产成本上升，且难以保证产品质量。与此同时，其竞争对手台积电在半导体制造领域仍保持着
三星显示斥资打造全球首条8.6代IT OLED生产线
该生产线由三星显示通过对原有L8生产线进行升级改造而来，是全球规模最大的OLED生产线。这也是三星
三星半导体将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”！
近期，科技巨头三星半导体做出了一个引人注目的决策：将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”。
工商网监
评论