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思瑞浦推出多款隔离系列产品并获得客户认可与好评

lPCU_elecfans 来源:电子发烧友网 作者:电子发烧友网 2022-07-28 09:17 次阅读

思瑞浦秉承独立开发、自主创新的理念,自2019年深耕隔离技术以来,积累了丰富的发明专利,其中基础隔离、传输电路、工艺优化、新型封装等技术发明专利共计9项。截至目前,已推出多款隔离系列产品,获得客户认可与好评。

针对工厂自动化、电力自动化、电机驱动、电源控制、新能源、医疗等应用场景,思瑞浦隔离产品的隔离耐压等级达到5kVrms以上,ESD静电保护达到±8kV, 防闩锁(Latch up)能力高达800mA(高温125℃),性能与可靠性均处于领先。共模瞬态抑制(CMTI)达到200kV/μs,思瑞浦隔离产品的CMTI能力处于国际领先地位。

01

思瑞浦隔离产品特性

思瑞浦隔离系列产品,均采用自主专利的隔离IP,隔离产品具备如下特性:

工作电压范围:2.25V – 5.5V

通讯速率:100Mbps Data Rate

低延时:12ns

耐压能力:5kV RMS (WSOP16)

抗浪涌能力:10kV peak (WSOP16)

共模瞬态抑制能力:±200kV/μs CMTI

宽温度范围:−40°C to +125°C

封装支持:SOP8、WSOP8、SOP16、QSOP16、WSOP16

可靠性防护能力:

±8kV IEC ESD ±800mA Latch up

完整安规认证报告:VDE、UL、TUV、CQC、CSA、CB

02

思瑞浦隔离产品优势

隔离器的核心指标:Breakdown Voltage

击穿电压Breakdown Voltage(BV)是隔离器的核心指标, 思瑞浦的隔离产品Breakdown Voltage达到10kV,处于国内领先水平。

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表1:Breakdown Voltage 对比

国际先进的抗冲击保护能力

隔离产品的使用场景比较恶劣,经常会遇到静电和浪涌冲击,对隔离产品的防护能力提出了很高的要求,思瑞浦隔离产品具备±8kV IC ESD和±6kV防浪涌能力(对应±10kV peak),处于国际先进水平。

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表2:抗冲击保护能力对比

±200kV/μs国际领先共模瞬态抑制CMTI能力

CMTI即Common Mode Transient Immunity,共模瞬变抗扰度,衡量器件在共模电压瞬变时依然能够正常传输信号的能力,参数值是共模瞬变的最大Slew Rate,反映出隔离产品对共模瞬变干扰的抑制能力。如图1所示,为数字隔离器CMTI测试模型框图。

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图1: CMTI测试模型

在电机驱动等典型应用中,使用PWM脉宽控制栅极驱动和MOS FET,后者用来驱动电机。MOS FET等功率器件往往工作在硬开关状态下,若使用普通的硅MOS FET,产生的电压跳变(dV/dt)干扰通常在40kV/μs以内,大多数的隔离产品CMTI都可以满足该需求。而同样参数的碳化硅/氮化镓器件,开关速度更快,特别是下降沿时会更加恶劣,在使用碳化硅MOS FET时,所产生共模干扰的最大下降斜率会达到200kV/μs,因此要求隔离产品具备200kV/μs以上CMTI能力。如图2模拟CMTI下降沿测试电路,图3显示思瑞浦隔离器CMTI达到200kV/us以上,表格3的数据也是基于此条件而得出。

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图2:CMTI下降沿测试电路

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图3:CMTI下降沿测试波形

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表3:CMTI性能对比

CMTI分为静态和动态两种,静态CMTI衡量输入稳定时抗共模电压瞬变干扰的能力,动态CMTI的测试中共模电压瞬变出现在输入信号跳变的边沿处,情况更为恶劣。如果隔离产品的CMTI能力不够,dV/dt干扰会对控制信号造成很大的影响。思瑞浦隔离产品具备 ±200kV/μs的静态CMTI, 动态CMTI也高达±150kV/μs,优于国内外同类产品,处于国际领先水平。

TDDB测试展现高可靠性

经时击穿TDDB(Time dependent dielectric breakdown,)是业界通用的评测栅氧可靠性的实验方法,基于实验数据还可以建立栅氧使用寿命预测模型、栅氧不良品筛选模型等,满足器件的可靠性要求。思瑞浦针对隔离器件建立了高压TDDB实验室,通过高压高温加速,测量大量样品数据,长时间测量的方式严格评测隔离器件TDDB数据。如下TDDB结果表明思瑞浦隔离器件可以稳定工作超过100年。

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安规认证是帮助证明了隔离芯片在0时刻的安全等级,并不能证明隔离芯片在10年,甚至20年后的工作状态,而VDE0884-11规范明确要求VIOWM(隔离芯片的工作耐压)必须经过TDDB验证才能标识。因此工程师在选型时隔离芯片时,推荐选择VIOWM 完成TDDB测试的型号。

思瑞浦隔离产品是完全独立开发,并拥有自主专利,具备高隔离电压,高抗冲击能力,相关技术指标处于国内领先、国际先进水平,可以满足大多数工业应用场景的可靠性需求。隔离耐压等级高、静电保护与浪涌防护能力强、±200kV/μs国际领先的CMTI能力,全系列产品经过TDDB严格测试,特别适合各种新能源等应用场景,尤其是满足第三代功率半导体碳化硅/氮化镓的设计需求。应用在工厂自动化、电力自动化、电机驱动、电源控制、新能源、医疗等场景,能保证足够的设计余量,提高系统的鲁棒性。

思瑞浦今年将持续推出更多的隔离系列产品:隔离运放、隔离驱动、隔离电源等,敬请期待!

审核编辑:彭静
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
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原文标题:思瑞浦全自主研发专利隔离产品,CMTI 200kV/μs

文章出处:【微信号:elecfans,微信公众号:电子发烧友网】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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