中国突破技术瓶颈 研制出全球最小尺寸相变存储单元
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员宋志棠、王浩敏组成联合研究小组，首次利用GNR边缘接触制备了世界上最小的相变存储单元器件。
据了解，今天的数据生产正在呈现爆炸性增长，传统的冯·诺依曼计算架构已成为未来继续提高计算系统性能的主要技术障碍。相变随机存取存储器（PCRAM）可以将存储和计算功能结合起来，是突破冯·诺依曼计算体系结构瓶颈的理想途径。
据中科院介绍，这是世界上首次使用GNR边缘接触实现超大尺寸的高性能相变存储单元，器件尺寸接近相变存储技术的扩展极限。这种新型相变存储单元的成功开发代表了PCRAM在低功耗下执行逻辑操作方面的进步，并为未来的内存计算开辟了新的技术途径。
综合中国科学院上海微系统与信息技术研究所整合
审核编辑：郭婷
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