GaN 晶体管越来越多地用于各个领域:汽车领域、电力供应以及电流的转换和使用。这些组件将很快取代它们各自的前身。让我们来看看如何更好地管理不同的操作条件,包括关键的操作条件,以优化电路的性能并获得出色的冷却效果。
GaN 晶体管是当今存在的“最冷”组件之一。即使在高温和极端条件下,其低结电阻也可实现低温和低能量损失。这是这种材料广泛用于许多关键部门的主要原因之一,其中对高电流的需求是主要特权。当然,为了有效的热管理,在设计和建筑层面都可以使用适当的技术。
这些参数取决于温度
在功率 GaN 晶体管中,温度对其起重要作用的组件有两个参数:具有相关工作损耗的R DS(on)和具有相关开关损耗的跨导。
保持低温的原因有很多:
防止在最恶劣的操作条件下发生热失控
总体上减少损失
提高系统性能和效率
增加电路的可靠性
良好的热设计也会对功率密度的变化产生积极影响。选择好的基板肯定有助于更好地散热,因为它可以减少散热器表面,特别是对于电源应用。
切换方式
不同开关方法的实施不可避免地意味着设计上的差异,尤其是最终性能上的差异。主要有“ZVS软开关模式”和“硬开关模式”。热传递以三种不同的方式发生:
通过传导,通过直接接触
通过对流,通过流体,例如空气或水
通过辐射,用电磁波
图 1 清楚地总结了传热过程。系统的各个组件就像电阻一样,通过电阻,遇到通道中的障碍物的不是电流,而是热量。从结点到散热器,热量通过传导发生,而从散热器到周围环境,则通过对流发生。
图 1:热量通过各种方式从结点转移到周围环境。
组装技术
GaN 在 PCB 上的物理安装对位置、电气和战略层面的散热程度具有决定性影响。在相同的工作条件下,组件和散热器的不同位置决定了整个系统的热行为差异。要使用两个 GaN 晶体管,建议使用带有 M3 型螺丝中心孔的小型散热器。这样,两个组件上的压力就平衡了(图 2a)。但是,我们不能夸大 GaN 上的散热器压碎,因为它会导致机械应力危险的增加。如果必须使用更大的散热器,则必须钻两个或更多孔,以尽量减少安装支架的弯曲或扭曲(图 2b)。SMD 元件是受弯曲影响最大的元件。孔应靠近开关元件,以增加对较冷表面的附着力。
图 2:使用带有 GaN 的散热器
虽然电源电路的设计是一门成熟的艺术,但应始终牢记法规。对于散热器,必须满足有关散热标准以及电路上元件和走线的最小距离的要求。在距离必须满足监管标准的区域,必须使用热界面材料 (TIM) 来覆盖散热器的边缘。这是为了改善两部分之间的热耦合。还要避免在 GaN 器件附近放置通孔组件 (THC)。为了优化空间,可以使用底座来升高散热器,以便将表面贴装 (SMT) 组件定位在散热器本身的正下方(参见图 3)。
图 3:升高散热器可优化空间。
GaN的并联
为了显着提高电路的功率,可以并联几个 GaN 晶体管,如图 4所示。负载可以非常强大,开关电流可以大大提高。创建了一个非常有效的热网络,其中热阻和电阻都急剧下降。使用这些方法,即使是冷却系统也必须非常有效。不同的实验会导致不同的散热系统,其中包括以下测试:
无散热片的自然对流
带有独立散热片的强制冷风
强制冷风与普通散热器并联
通过将设备的最佳特性与最佳散热解决方案相结合,可以增加系统可以达到的最大功率。事实上,通过GaN 晶体管之间的并联连接降低热阻,这一结果是可能的。
图 4:并联 GaN 晶体管可增加功率并降低电阻。
SPICE 模型
GaN Systems 提供两种不同的SPICE 模型,即 L1 和 L3 模型(见图 5)。对于热实现的操作,必须使用第二个模型。然而,在这种情况下,寄生电感会高得多。下面我们来详细看看这两种型号的区别:
L1 型号有四个端子(G、D、S、SS)。它用于模拟器处理速度处于前台的通用开关模拟。
L3 型号有六个端子(G、D、S、SS、Tc、Tj)。添加了热模型和寄生电感模型。
该模型基于组件的物理特性和设备的结构。引脚 Tj 可用作输入或输出,具体取决于仿真目的。通过这种方式,可以进行两种不同类型的研究:
用作输入时,引脚 Tj 可以设置为恒定值,以检查特定 Tj 值下的 E(开)/E(关)比。
用作输出时,引脚 Tj 可以在静态和瞬态模式下进行验证。
图 5:GaN 晶体管的 SPICE 模型
结论
GaN 晶体管提供出色的结果和出色的热可能性。为了实现最大的功率性能,即使以千瓦为单位,也必须最大限度地提高项目的电气和热质量。如果对系统进行适当的分析和实施,它实际上可以在相对较低的温度下处理非常高的功率。要使用的技术涉及各种参数,例如散热器的位置、形状和高度、焊缝的形状和尺寸、GaN 器件的平行化以及开关频率。市场上的 GaN 晶体管示例越来越多,其特点是支持更高的电压和电流以及更低的结电阻,以满足高功率领域公司的所有要求和需求。
审核编辑:刘清
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