KIA超高压MOSFET-KNX41100A产品资料

KIA 超高压MOSFET 1000-1500V，填补国内空白

放眼半导体市场，现阶段1000-1500V超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，且存在价格高，交付周期长等弊端。对此可易亚半导体（KIA）针对1000V超高压MOS产品进行了大量的技术革新，通过多年的产品技术积累，开发出耐压更高，导通内阻更低的超高压MOS管，填补了国内空白，打破了进口品牌垄断的局面，也降低了客户对国外产品的依存度。

超高耐压的器件主要应用场景为工业三相智能电表、LED照明驱动电源、充电桩，光伏逆变器等辅助电源。

国内专注研发优质MOS管厂家KIA半导体生产的超高压MOSFET--KNX41100A可代换型号：东芝2SK1119， 艾赛斯IXFP4N100。

KIA超高压MOSFET-KNX41100A产品资料

超高压MOSFET-KNX41100A漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为2A，适用于适配器、充电器、SMPS备用电源等。

KNX41100A的开启延迟典型值为8nS，关断延迟时间典型值为36nS，上升时间6nS，下降时间15nS，反向传输电容4pF，反向恢复时间320nS，正向电压的典型值1.5V。

KNX41100A的导通阻抗典型值为9.6Ω。最大功耗为60W，最大结温为150℃。此产品的储存温度在-55到150℃，适用于大部分环境。

产品特点：

符合RoHS标准

RDS(ON),typ.=9.6Ω@VGS=10V

低栅极电荷使开关损耗最小化

快速恢复体二极管

图：KNX41100A引脚配置

图：KNX41100A规格书

KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业，竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴；主动了解客户需求，不断研发创新，为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。

审核编辑：汤梓红