Nanodcal是一款基于非平衡态格林函数-密度泛函理论(NEGF - DFT)的第一性原理计算软件,主要用于模拟器件材料中的非线性、非平衡的量子输运过程,是目前国内拥有自主知识产权的基于第一性原理的输运软件。可预测材料的电流 - 电压特性、电子透射几率等众多输运性质。
迄今为止,Nanodcal 已成功应用于1维、2维、3维材料物性、分子电子器件、自旋电子器件、光电流器件、半导体电子器件设计等重要研究课题中,并将逐步推广到更广阔的电子输运性质研究的领域。
本期将给大家介绍Nanodcal半导体器件2.9.3-2.9.6 的内容。
2.9.3. 器件的自洽计算
(1)电极自洽
结构文件、参数文件:scf.input,基组文件:H_LDA-DZP.nad、Si_LDA-SZP-n.mat和Si_LDA-SZP-p.mat,左电极的scf.input文件如下:
右电极的scf.input文件如下:
在Device Studio的Project窗口中,右击scf.input,Run→Run即开始自洽计算;
(2)中心区自洽
在电极自洽完成的基础上,进行中心区自洽,scf.input文件如下:
在Device Studio的Project窗口中,右击scf.input,Run→Run即开始自洽计算;
2.9.4 势分布计算
(2)在Device Studio的Project窗口中,右击potential.input,Run→Run即开始计算;
(3)计算完成后,输出文件CoulombPotential.dsf在Device Studio中进行可视化分析,如图:
图 2-75
2.9.5. 局域态密度计算
(1)准备输入文件DensityOfStates.input如下:
(2)在Device Studio的Project窗口中,右击DensityOfStates.input,Run→Run即开始计算;
(3)计算结束后,输出文件LocalDensityOfStates.txt在Device Studio中进行2D和1D可视化分析,如图:
图 2-76
图 2-77
2.9.6 漏源和栅源电压下的计算
(1)以施加0.05 V的漏源电压为例,中心区自洽计算的输入文件scf.input修改以下参数:
(2)在0.05 V的漏源电压自洽计算完成的基础上,可施加栅源电压,以0.1 V的栅源电压为例,中心区自洽计算的输入文件scf.input修改以下参数:
(3)自洽计算完成后,可以计算电流,准备输入文件ivc.input,如下:
(4)计算结束后,可以在Matlab中查看数据,如下:
(5)另外,通过改变漏源和栅源电压,可以计算一些列的电流。计算完毕后,点击Simulator→Nanodcal→IV plot,选择相对应的文件夹。
(6)下图是在0.05和0.2 V漏源电压下,电流与栅源电压的关系,即I-VG:
图 2-79
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原文标题:产品教程|Nanodcal半导体器件(n-p-n硅器件的电学特性02)
文章出处:【微信号:hzwtech,微信公众号:鸿之微】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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