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Device Studio构建HfO2模型

鸿之微 来源:鸿之微 作者:鸿之微 2022-09-20 10:13 次阅读

Nanodcal是一款基于非平衡态格林函数-密度泛函理论(NEGF - DFT)的第一性原理计算软件,主要用于模拟器件材料中的非线性、非平衡的量子输运过程,是目前国内拥有自主知识产权的基于第一性原理的输运软件。可预测材料的电流 - 电压特性、电子透射几率等众多输运性质。

迄今为止,Nanodcal 已成功应用于1维、2维、3维材料物性、分子电子器件、自旋电子器件、光电流器件、半导体电子器件设计等重要研究课题中,并将逐步推广到更广阔的电子输运性质研究的领域。

本期将给大家介绍Nanodcal半导体器件2.11.1.2.1-2.11.1.2.4的内容。

2.11.1.2 SiO2(101)建模及计算

2.11.1.2.1 Device Studio构建HfO2模型

(1)从数据库中搜索导入SiO2-bulk,如下:

File→Import→Import Oline,输入SiO2搜索,找到mp-8352Si2O4→点击add;

(2)点击Build→Surface/slab建立SiO2(101)面;

(3)点击Build→Redefine Crystal在a方向上修改参数为5.2756。如下图所示:

fdbfa0c8-3825-11ed-ba43-dac502259ad0.png

(4)删除多余原子,然后居中,如下:

fddfbfe8-3825-11ed-ba43-dac502259ad0.png

(5)点击Build→Redefine Crystal在b方向上扩抱3倍,并命名为C,如下图所示:

fdfb89d0-3825-11ed-ba43-dac502259ad0.png

(6)复制(5)步的结构,删除原子。点击Simulator→Nanodcal→SCF Calculation→Generate file,修改K点10 5 10,产生自洽文件。

fe22e4d0-3825-11ed-ba43-dac502259ad0.png

2.11.1.2.2 自洽计算

(1)准备输入文件:scf.input,基组文件:O_DZP_PBE.nad,Si_DZP_PBE.nad;

fe3bb78a-3825-11ed-ba43-dac502259ad0.png

(2)连接Nanodcal服务器:见11.1.1.2自洽计算。根据计算需要设置参数后点击

save按钮保存相应的pbs脚本,然后点击run进行计算。等待计算完毕后点击Job Manager所示界面中的Action下的下载按钮下载NanodcalObject.mat文件

2.11.1.2.3 能带计算

(1)建立nanodcal计算能带的输入文件,如下:

Simulator→Nanodcal→Analysis→BandStructure→->→Generatefile。参数默认,产生能带计算的输入文件BandStructure.input,同样,右击打开openwith,可查看,如下:

fe6ec616-3825-11ed-ba43-dac502259ad0.png

(2)连接服务器,见11.1.1.2自洽计算。

(3)能带计算,见11.1.1.2自洽计算。等待计算完毕后点击JobManager所示界面中的Action下的下载按钮下载BandStructure.xml、BandStructure.fig、CalculatedResults.mat文件。

2.11.1.2.4 静电势计算

(1)建立nanodcal计算静态势的输入文件,包括库仑势和中性原子势,分别计算。点击Simulator→Nanodcal→Analysis→Potential→->→Generatefile。参数默认,产生能带计算的输入文件Potential.input,同样,右击打开openwith,可查看,如下:

fe8fd6c6-3825-11ed-ba43-dac502259ad0.png

(2)连接服务器,见11.1.1.2自洽计算。

(3)静态势计算,见11.1.1.2自洽计算。等待计算完毕后点击JobManager所示界面中的Action下的下载按钮下载CoulombPotential.dsf、CoulombPotential.fig、CoulombPotential.mat文件。

审核编辑:彭静
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原文标题:产品教程|Nanodcal半导体器件(HfO2/SiO2异质结VBO计算03)

文章出处:【微信号:hzwtech,微信公众号:鸿之微】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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