0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

通过低共熔氧化方法制备具有双层结构的钒氧化物纳米带

工程师邓生 来源:科学材料站 作者:王金金等 2022-09-20 10:23 次阅读

研 究 背 景

解决钒氧化物正极材料在可充电式水系锌离子电池(ZIBs)中的结构不稳定性和动力学迟缓等限制是当前迫切而具有挑战的问题。研究表明,将金属离子预插层到钒氧化物夹层中可以有效扩大层间空间,并能形成柱状结构,保证了锌离子电池的长循环能力。

另外,非均相材料涂层被证明可以提高电化学性能,这归因于离子吸附位点的增加以及电子导电性的提高,并能防止活性材料的坍塌/溶解。本文通过快速一步低共熔氧化方法成功制备了具有双层结构的钒氧化物纳米带,得益于预插层Li+和Na+的协同效应,所构筑电极表现出优异的电化学性能。本研究工作将为设计、制备先进的钒基锌离子电池正极材料提供了一种全新的策略。

文 章 简 介

本文通过快速一步低共熔氧化过程成功制备了双层结构的钒氧化物纳米带(LiV3O8@NaV3O8,LVO@NVO)。得益于预插入的Li+,Na+以及所构筑的双层结构,LVO@NVO获得了更高的赝电容、更快的电荷转移/离子扩散动力学以及更强健的框架。因此,当作为ZIBs的正极时,LVO@NVO电极展示出惊人的容量(476 mAh g−1@0.05 A g−1)、优异的倍率性能(236 mAh g−1@5 A g−1)和卓越的长循环稳定性(2 A g−1循环2000次,容量保持率高达93.4%)。

64d9d5b4-347d-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

本 文 要 点

要点一:正极材料的合成、结构、形貌等物化性质表征

采用快速一步低共熔氧化法制备了Li+、Na+预插层的钒氧化物双层纳米带。VCl3中的V3+被低共熔体中的硝酸根氧化为V5+,形成钒氧化物纳米带,与此同时,低共熔体中的Li+/Na+嵌入到钒氧化物夹层空间。表征结果表明,所合成的材料由两相组成,并呈现出双层的纳米带形貌。分析认为,NVO相在低共熔体中优先形核和生长,LVO相外延生长形成双层结构。

64f1950a-347d-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

图1. 材料LVO@NVO的物化性质表征

要点二:正极材料电化学性能的表征

将所合成材料制成电极,与锌负极匹配构筑锌离子电池,对其储锌性能进行了表征。结果表明,双层钒氧化物电极(LVO@NVO)表现出极高的电化学活性(476 mAh g−1@0.05 A g−1)、优异的倍率性能(236 mAh g−1@5 A g−1)和卓越的长循环稳定性(2 A g−1循环2000次,容量保持率高达93.4%),其性能远优异对比电极NVO(81 mAh g−1@5 A g−1)。

65199366-347d-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

图2. LVO@NVO电极的储锌性能表征

要点三:正极材料动力学分析

电极材料优异的电化学性能与其反应动力学具有密切的联系。因此,通过CV、EIS、GITT等对电极的反应动力学进行了分析。结果表明,相比于NVO,LVO@NVO电极表现出更高的赝电容、更快的电荷转移/离子扩散动力学。

6525b074-347d-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

图3. LVO@NVO电极动力学分析

要点四:正极材料储能机理探究

最后,结合离位XRD、SEM以及XPS等对LVO@NVO电极的能量存储机理进行了探究。结果表明,LVO@NVO电极在放/充电过程中,Zn2+、H+共嵌入/脱出,并伴随金属钒的还/氧化原以及碱式硫酸锌(ZSH)微米片在电极表明的沉积/溶解。

6546dc72-347d-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

图4. LVO@NVO电极能量存储机理分析



审核编辑:刘清

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 离子电池
    +关注

    关注

    0

    文章

    69

    浏览量

    10206
  • XPS
    XPS
    +关注

    关注

    0

    文章

    97

    浏览量

    11955
  • XRD
    XRD
    +关注

    关注

    0

    文章

    131

    浏览量

    9042

原文标题:西工大余泓&杜乘风JMCA:Li+,Na+共稳定钒氧化物纳米带,提高储锌性能

文章出处:【微信号:清新电源,微信公众号:清新电源】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    金属化薄膜电容氧化时方阻会变大吗

    导致电容器的方阻增大。 具体来说,氧化物膜的电阻通常比金属本身的电阻大几个数量级,这意味着当氧化物膜形成或增厚时,电容器的表面电阻会显著增加。这可能会影响电容器在电路中的性能,特别是在需要通过电容器表面进行
    的头像 发表于 08-05 14:13 450次阅读

    EBC电极的制备结构、性能及应用

    。 一、EBC电极的制备 材料选择 EBC电极的制备首先需要选择合适的材料。常用的材料包括金属、氧化物、碳材料等。其中,金属如钨、钼等具有较高的熔点和良好的导电性;
    的头像 发表于 07-24 11:04 361次阅读

    氧化物布局格局一览 氧化物电解质何以撑起全固态?

    今年以来,各式各样的半固态、全固态电池开始愈发频繁且高调地现身,而背后均有氧化物电解质的身影。
    的头像 发表于 05-16 17:41 904次阅读

    金属氧化物异质结光电探测器研究进展综述

    金属氧化物(MO)因其具有易于制备、高稳定性、对载流子的选择性传输等优点,被广泛应用于光电探测领域。
    的头像 发表于 05-13 09:09 795次阅读
    金属<b class='flag-5'>氧化物</b>异质结光电探测器研究进展综述

    研究人员开发出高性能p型非晶氧化物半导体

    和 107 的开/关电流比,与早期 n 型氧化物薄膜晶体管的关键电气属性非常相似。此外,薄膜晶体管在长时间偏置应力下表现出显著的稳定性以及大面积薄膜的均匀性。 图源:浦项工科大学 研究人员合作开发了碲硒复合氧化物半导体材料。他们成功创造了高性能和高稳定性的p型薄膜晶体管(
    的头像 发表于 04-30 14:58 433次阅读
    研究人员开发出高性能p型非晶<b class='flag-5'>氧化物</b>半导体

    金属氧化物压敏电阻的冲击破坏机理&amp;高能压敏电阻分析

    讲,厚的阀片可以承受更高的冲击耐受电压,而具有较大直径和较大面积电极的阀片应具有更大的冲击通流能力。但实际上采用陶瓷工艺由烧结方法制成的多晶体金属氧化物阀片是不均匀的,所以其冲击耐受能
    发表于 03-29 07:32

    金属氧化物压敏电阻 (MOV) 概述:工作和应用

    1. 引言 通常可以在任何电源电路的交流输入侧发现的蓝色或橙色圆形部件是金属氧化物压敏电阻或MOV。可以将金属氧化物压敏电阻视为另一种形式的可变电阻器,它可以根据施加在其两端的电压来改变其电阻。当
    发表于 03-29 07:19

    具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体(CMOS)开关TMUX722x数据表

    电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体(CMOS)开关TMUX722x数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 03-20 13:49 0次下载
    <b class='flag-5'>具有</b>闩锁效应抑制特性的互补金属<b class='flag-5'>氧化物</b>半导体(CMOS)开关TMUX722x数据表

    现代互补金属氧化物半导体 (CMOS) 模拟多路复用TMUX734xF数据表

    电子发烧友网站提供《现代互补金属氧化物半导体 (CMOS) 模拟多路复用TMUX734xF数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 03-20 11:27 0次下载
    现代互补金属<b class='flag-5'>氧化物</b>半导体 (CMOS) 模拟多路复用TMUX734xF数据表

    具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关TMUX7219M数据表

    电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关TMUX7219M数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 03-20 11:12 0次下载
    <b class='flag-5'>具有</b>闩锁效应抑制特性的互补金属<b class='flag-5'>氧化物</b>半导体 (CMOS) 开关TMUX7219M数据表

    互补金属氧化物半导体 (CMOS) 多路复用器TMUX4827数据表

    电子发烧友网站提供《互补金属氧化物半导体 (CMOS) 多路复用器TMUX4827数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 03-20 10:57 0次下载
    互补金属<b class='flag-5'>氧化物</b>半导体 (CMOS) 多路复用器TMUX4827数据表

    具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关TMUX7236数据表

    电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关TMUX7236数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 03-20 10:56 0次下载
    <b class='flag-5'>具有</b>闩锁效应抑制特性的互补金属<b class='flag-5'>氧化物</b>半导体 (CMOS) 开关TMUX7236数据表

    简单认识功率金属-氧化物-半导体场效应管

    功率金属-氧化物-半导体场效应管 (Power MOSFET) 由于输入阻抗高、开关速度快,并且具有负温度系数(温度上升时电流减少),因此被认为是一种理想的开关器件。功率金属-氧化物-半导体场效应管
    的头像 发表于 01-16 09:45 782次阅读
    简单认识功率金属-<b class='flag-5'>氧化物</b>-半导体场效应管

    【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)

    【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
    的头像 发表于 12-13 14:22 651次阅读
    【科普小贴士】金属<b class='flag-5'>氧化物</b>半导体场效应晶体管(MOSFET)

    基于金属氧化物的一氧化碳传感器的挑战与发展

    材料十分丰富,其中金属氧化物敏感材料由于其良好的电学、光学以及传感特性被广泛应用。气体传感器性能的改进主要依托于敏感材料的形貌修饰以及不同材料之间的掺杂与复合,以起到“1+1>2”的作用,使之具备更优异的灵敏度和选择
    的头像 发表于 11-06 09:04 1523次阅读
    基于金属<b class='flag-5'>氧化物</b>的一<b class='flag-5'>氧化</b>碳传感器的挑战与发展