APEX决定在新的PWM放大器中集成SiC有何原因
为什么APEX决定在新的PWM放大器中集成SiC而不是GaN？
碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）具有类似的高宽带隙能量，从而使它们在开关能力、效率、大功率和高压处理方面比硅、锗或砷化镓等其他半导体更具优势。
但是为什么我们使用SiC，而不是GaN？因为虽然带隙能量类似，但是SiC和GaN在击穿电压和开关速度方面有所不同。
GaN更适合高频应用，而SiC器件的击穿电压较高。
SiC和GaN的另一个关键区别是导热率。碳化硅的导热率比GaN高很多，因而在涉及高温或大功率的应用中具有优势。
此外，SiC RDS(ON)的温度依赖性比GaN低很多。在结温从室温升高至125°C时，GaN器件的导通电阻将升高一倍以上，而典型的SiC MOSFET的导通电阻仅上升25%左右。
这是APEX在持续扩展产品组合过程中利用的一个重要SiC器件特征，APEX此举旨在支持达到甚至超过150°C的高温应用。
审核编辑：刘清
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