HHI InP平台能达到100GHz带宽
HHI的那个InP平台，这几年更新了几个版本，目前能达到100GHz带宽
光学带宽并不是整个电光转换系统的带宽瓶颈，而是光学集成度虽然越来越高，但电学才是真正让整体带宽受限的主要因素。
射频信号长度导致射频衰减增大，各个电路信号节点，阻抗失配、反射、行波速度等等，导致无法真正实现电光转换带宽提升。
在InP平台上，各个光学器件也越来越密集，比如多个MZM的紧凑布局
可以达到25μm超窄间距布局
还有更紧凑的MZ相控布局
更紧凑的探测器阵列，基于InP平台，并wafer反向用BCB胶粘贴在硅衬底上，做微米级的紧凑布局，比如用在Lidar上。
光学器件越来越小，集成度越来越高，对电芯片与光芯片的互相适配就更加重要了。之前写过很多硅光集成与集成电路的晶圆级设计，那是有材料一致性的优势。
但InP集成光学和硅（或锗硅）集成电路，二者之间的键合有晶格不匹配的可靠性风险。常见的是BCB胶黏合，或者用亲水界面的氧做原子键合。
这两个都不算十分完美。
这次ECOC的workshop，TUE介绍了NXP的锗硅集成电路上键合3吋HHI InP集成晶圆，做wafer级密集互联，提高带宽。
从示意图与欧洲这几个厂的传统工艺来看，大概率用薄层BCB做的键合层（回头等确认了这个材料，再补上）。
审核编辑：刘清
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原文标题：Y8T269 HHI 100GHz InP平台
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