今年ECOC,根特和IMEC提交了一个基于氮化硅波导与InP基UTC-PD异质集成的探测器,3dB带宽达到了155GHz
但是,他们只给了测试的一些参数,并没有给出基本探测器结构,默认大家知道啥是UTC-PD
Uni Travelling Carrier Photo Diode,单边载流子的光电探测二极管。
D:Diode二极管,就是PN型二极管,用于探测光学Photo信号的二极管。叫做PD
咱们光模块里天天用的PIN型、APD型,都属于PD。
用PIN型探测器来解释,在P型和N型半导体中间夹一层吸收层材料。咱光模块的P/N半导体,有两种常用材料,Si或者InP,光吸收层材料也有两种常用材料,Ge或者InGaAs。
PN之间夹的吸收层材料,一般不掺杂,叫做本征半导体Intrinsic,所以简称P-I-N型探测器。
吸收层一般不掺杂,但二般情况就会掺杂了,要解决的问题和UTC是一个思路,只是不同的方法而已。
普通的PIN探测器,从光信号到电信号,有几个步骤
光跑进来,吸收层把光的能量转换为一对儿电子/空穴载流子,电子和空穴再跑出去,形成电流信号。
光跑进来的路线,可以是从垂直方向来,也可以从水平方向来,不是今天的重点。
要完成光信号到电信号的一个完整转换,电子空穴的载流子收集是一对困难户。他们的收集速度很慢,是制约带宽的主要瓶颈。
电子和空穴的载流子收集,他们很慢,还能继续分,空穴是倒数第一,电子是倒数第二
在2020合集第697页,2021合集上第481页,吸收层部分掺杂,可提高空穴的载流子收集速度,从而提高带宽。
这句话重新理解一下,就是虽然空穴是倒数第一,但是常规的高速探测器依然没有抛弃他,而是通过掺杂来帮助空穴跑的稍微快一点。
UTC就比较狠,直接放弃空穴,只用自由电子做载流子,所以叫单边载流子型探测器。
给出来的结构,主要工作量在于挡住空穴,不要参与这项高速工作,只把电子收集出来即可。
小结:
普通PIN型探测器,光生载流子,再把载流子收集起来做为电流信号,载流子的收集速度是整个器件运行的瓶颈。
空穴的速度,最慢,比电子还慢一些,是瓶颈中的瓶颈。
通过吸收层减薄/收窄吸收层等基本结构设计,让空穴和电子都能缩短渡越路程,降低渡越时间,可提高带宽。但牺牲了灵敏度。
通过吸收层P型掺杂,让最最慢的空穴速度,略微提高一些,可提高带宽。
以上都是双边载流子型的探测器。
如果通过阻挡层,以及吸收层重P掺杂,彻底放弃空穴,只保留电子做为携带信息的载流子,则可以进一步提高带宽。这就是UTC-PD。
审核编辑:刘清
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原文标题:Y8T272 何为UTC-PD
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