0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

探究碳化温度和模板对本征缺陷比例的影响

清新电源 来源:环材有料 作者:Fei Yuan等 2022-10-18 15:52 次阅读

研究背景

由于成本低、钾储量丰富、氧化还原电位低、离子转移动力学快等优势,钾基储能装置,特别是钾离子电池(PIBs),被认为是锂离子电池最有前途的替代品之一。碳质阳极具有成本低、结构灵活和理化稳定性高等特点,其可以通过吸附诱导的电容行为和扩散控制的插层过程来可逆地储存钾。缺陷工程被认为是调节碳材料速率容量和循环稳定性的有效手段之一。

然而,目前的大部分研究都集中在杂原子掺杂的外部缺陷上,而忽略了由于原子损失或晶格变形引起的本征碳缺陷(如边缘位点和空隙或孔隙)对储钾的影响。有鉴于此,河北科技大学王波、李昭进团队以葡萄糖为碳源,在软模板的辅助下,可控地合成了一系列本征缺陷丰富的碳材料,探究了碳化温度和模板对本征缺陷比例的影响,揭示了本征缺陷程度与容量/容量保持率之间的内在关联机制。相关成果发表在国际期刊Advanced Functional Materials上。

图文导读

碳材料的制备与微观形貌

分别以葡萄糖、嵌段共聚物F127、1, 3, 5-三甲基苯为碳源、软模板和孔隙膨胀剂,通过自组装、聚合、高温碳化过程,即可得到不同本征缺陷含量的类碗状碳。通过HRTEM可以观察到不同碳化温度下高度无序的微观结构。

39d64ea6-4855-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

碳材料的本征碳缺陷

通过XPS数据分峰得到的sp3 C峰占比可以发现,800℃碳化得到的碳材料sp3 C峰占比最高,表明样品中本征碳缺陷含量占比最高,拉曼数据处理得到的ID1/IG比值,以及EPR测试得到的洛伦兹线宽、峰强度结果都很好地佐证了上述结论。

3a4fe70c-4855-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

碳材料的电化学性能

本征碳缺陷浓度最高的碳材料(ECM-800)展现了最大的电化学比容量和容量保持率,且在多次循环后,界面转移电阻上升最缓慢。通过线性拟合发现,比容量、容量保持率与本征缺陷程度(ID1/IG)呈线性正相关。 3d470774-4855-11ed-a3b6-dac502259ad0.png3d89e030-4855-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

碳材料的储钾机制和钾离子全电池性能

通过异位拉曼分析充/放电过程中ID1/IG值变化发现,放电过程中,ID1/IG值从1.3逐渐减小至1.02,表明大量本征缺陷位点被钾离子占据。在随后的充电过程中,ID1/IG恢复到初始值,表明钾离子吸附存储具有高度可逆性。异位XPS测试得到的sp3 C峰占比变化也证实了上述钾存储机制。在钾离子全电池中,ECM-800展现了不错的电化学容量(54 mAh g-1)和优异的库伦效率(3000次循环,库伦效率维持在98%)。

3f655baa-4855-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

3fa944b4-4855-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

文献链接:

https://doi.org/10.1002/adfm.202208966





审核编辑:刘清

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 离子电池
    +关注

    关注

    0

    文章

    69

    浏览量

    10238
  • ECM
    ECM
    +关注

    关注

    3

    文章

    56

    浏览量

    28017

原文标题:王波&李昭进团队AFM:本征碳缺陷对钾离子存储的影响机制

文章出处:【微信号:清新电源,微信公众号:清新电源】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
    发表于 01-04 12:37

    沟槽结构碳化硅的外延填充方法

    一、引言 沟槽结构碳化硅的外延填充方法是指通过在碳化硅衬底上形成的沟槽内填充高质量的外延层,以实现器件的电学和热学性能要求。这一过程中,不仅要保证外延层的填充率,还要避免空洞和缺陷的产生,从而确保
    的头像 发表于 12-30 15:11 206次阅读
    沟槽结构<b class='flag-5'>碳化</b>硅的外延填充方法

    碳化硅MOSFET栅极氧化层缺陷的检测技术

    碳化硅材料在功率器件中的优势碳化硅(SiC)作为第三代化合物半导体材料,相较于传统硅基器件,展现出了卓越的性能。SiC具有高禁带宽度、高热导率、高的击穿电压以及高功率密度特性。这些特性使得SiC器件
    的头像 发表于 12-06 17:25 400次阅读
    <b class='flag-5'>碳化</b>硅MOSFET栅极氧化层<b class='flag-5'>缺陷</b>的检测技术

    A/B型缺陷和D/V类缺陷介绍

    在直拉法(cz)和区熔法(Fz)制成的单晶硅锭中内生微缺陷都由V/G控制,其中,V是结晶前沿晶体生长速率,G是晶体中固液界面附近的轴向温度梯度。 如果V/G低于临界值,则形成的缺陷为A型漩涡
    的头像 发表于 11-14 16:41 292次阅读
    A/B型<b class='flag-5'>缺陷</b>和D/V类<b class='flag-5'>缺陷</b>介绍

    碳化硅功率器件有哪些优势

    碳化硅(SiC)功率器件是一种基于碳化硅半导体材料的电力电子器件,近年来在功率电子领域迅速崭露头角。与传统的硅(Si)功率器件相比,碳化硅器件具有更高的击穿电场、更高的热导率、更高的饱和电子漂移速度以及更高的工作
    的头像 发表于 09-11 10:25 596次阅读
    <b class='flag-5'>碳化</b>硅功率器件有哪些优势

    探究电驱动系统中碳化硅功率器件封装的三大核心技术

    在电动汽车、风力发电等电驱动系统中,碳化硅功率器件以其优异的性能逐渐取代了传统的硅基功率器件。然而,要充分发挥碳化硅功率器件的优势,其封装技术尤为关键。本文将重点探讨碳化硅功率器件封装的三个关键技术:低杂散电感封装技术、高温封装
    的头像 发表于 08-19 09:43 407次阅读
    <b class='flag-5'>探究</b>电驱动系统中<b class='flag-5'>碳化</b>硅功率器件封装的三大核心技术

    碳化硅器件的类型及应用

    碳化硅是一种广泛用于制造半导体器件的材料,具有比传统硅更高的电子漂移率和热导率。这意味着碳化硅器件能够在更高的温度和电压下工作,同时保持稳定性和效率。
    发表于 04-16 11:54 758次阅读

    碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV

    碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏
    发表于 03-08 08:37

    普兴电子拟建六寸低密缺陷碳化硅外延片产线

    预计该项目投资总额3.5亿元人民币,将引进碳化硅外延设备及辅助设备共计116套。其中包括一条具备24万片年产量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料产线。
    的头像 发表于 02-29 16:24 609次阅读

    碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域

    碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管(SiC Diode)、碳化硅晶体管(SiC Transistor)等。这些器件通过利用碳化硅材料的优良特性,可以在更高的
    发表于 02-29 14:23 1670次阅读

    描绘未知:数据缺乏场景的缺陷检测方案

    Neuro-T 视觉平台 克服了数据缺乏状况的困难,通过零代码设置 GAN模型 和 无监督学习模型 ,轻松实现缺陷图像的标注、绘制和导出。 工业应用中存在较多的缺陷检测需求。针对缺陷检测需求,常见的解决方案有两种: 基于目标正
    的头像 发表于 01-25 10:46 583次阅读
    描绘未知:数据缺乏场景的<b class='flag-5'>缺陷</b>检测方案

    模板变形后如何进行缺陷检测

    该例程用到了差异模型,将一个或多个图像同一个理想图像做对比,去找到明显的不同。进而鉴定出有缺陷的物体。差异模型的优势是可以直接通过它们的灰度值做比较,并且通过差异图像,比较可以被空间地加权。
    的头像 发表于 01-14 14:06 578次阅读
    <b class='flag-5'>模板</b>变形后如何进行<b class='flag-5'>缺陷</b>检测

    碳化硅升华生长温度测控研究

    摘要:通过调节中频感应线圈的输出功率来改变碳化硅升华生长坩埚的加热温度,并采用 NaCl 和 Al2O3 进行烧结实验,观察不同输出功率下烧结后的形貌变化,确定了相应的温度,得到了输出功率与加热
    的头像 发表于 01-11 09:42 805次阅读
    <b class='flag-5'>碳化</b>硅升华生长<b class='flag-5'>温度</b>测控研究

    碳化硅相对传统硅半导体有什么有缺点

    的3倍左右,这意味着碳化硅在高功率应用中能够更有效地散热,从而降低了设备的温度,提高了设备的稳定性和可靠性。 更高的工作温度:由于碳化硅具有更高的热导率,因此它能够在更高的工作
    的头像 发表于 01-10 14:26 1949次阅读

    碳化硅逆变器是什么 功能介绍

    碳化硅逆变器是一种基于碳化硅(SiC)半导体材料的功率电子设备,主要用于将直流电转换为交流电。与传统的硅基功率器件相比,碳化硅逆变器具有许多优越性能,如更高的开关频率、更低的导通损耗、更高的工作
    的头像 发表于 01-10 13:55 1623次阅读