我国首条光子芯片产线明年建成：无需EUV光刻机
10月14日晚，半导体龙头企业士兰微(600460)披露再融资预案，65亿元募集资金将用于12寸芯片生产线、SiC功率器件生产线和汽车半导体封装项目的建设。
来自《北京日报》的消息，记者从中科鑫通获悉，国内首条“多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线已在筹备，预计将于2023年在京建成，可满足通信、数据中心、激光雷达、微波光子、医疗检测等领域需求，有望填补我国在光子芯片晶圆代工领域的空白。
据悉，光子芯片是光电子器件的核心组成部分，与集成电路芯片相比存在多处不同。例如：从性能而言，光子芯片的计算速度较电子芯片快约1000倍，且功耗更低。从材料而言，InP、GaAS等二代化合物半导体是光子芯片更为常用的材料，而集成电路一般采用硅片。
从制备而言，光子芯片的制备流程与集成电路芯片存在一定相似性，但侧重点在于外延设计与制备环节，而非光刻环节。民生证券指出，这也决定了光子芯片行业中，IDM模式是主流，有别于标准化程度高、行业分工明确的集成电路芯片。
值得一提的是，相较于电子芯片，光子芯片对结构的要求较低，一般是百纳米级，因此降低了对先进工艺的依赖。中科鑫通总裁隋军也表示，光子芯片使用我国已相对成熟的原材料及设备就能生产，而不像电子芯片一样，必须使用EUV等极高端光刻机。
审核编辑 黄昊宇
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