国星光电与华为联合创新中心挂牌成立
近日，国星光电与华为技术有限公司（以下简称“华为”）联合创新中心挂牌成立。
今年5月18日，国星光电与华为就全面合作协议签约。双方合作主要基于国星光电在LED显示、背光等领域的技术优势，结合华为在AI、5G等信息化技术能力，联合国内外先进的产学研团队，共同推动联合创新中心落地并挂牌，在Mini＆Micro LED、车载HUD、智能健康照明、光耦及功率器件、非视觉光源等方面开展技术创新，拓展未来业务覆盖面，在现有信号指示、智能终端两大领域持续深化业务合作。
国星光电官网显示，公司成立于1969年，是广东省属国有独资重点企业广晟集团的控股上市公司，专业从事研发、生产、销售LED及LED应用产品。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
华为
+关注
关注
215文章
34292浏览量
251145 -
国星光电
+关注
关注
3文章
310浏览量
17934
发布评论请先 登录
相关推荐
国星光电创新封装方案赋能新兴显示多元化
近日，“2024 国际新型显示产业技术高峰论坛”在深圳举办，国星光电应邀出席活动并发表主题演讲，深入探讨行业技术的最新进展、发展趋势以及面临的挑战与机遇，同时为现场嘉宾带来LED显示封装创新解决方案，以实际行动为新型显示产业的高
字节跳动与清华AIR成立联合研究中心
近日，清华大学智能产业研究院（AIR）与字节跳动共同宣布成立“可扩展大模型智能技术联合研究中心”（SIA Lab），并在清华大学举行了隆重的成立仪式。
国创中心与长城汽车成立车规级芯片联合实验室
近日，在北京经济技术开发区（北京亦庄），一场盛大的揭牌仪式吸引了业界的广泛关注。国家新能源汽车技术创新中心（以下简称“国创中心”）与长城汽车股份有限公司（以下简称“长城汽车”）共同宣布
国星光电携LED照明产品技术方案亮相2024宁波国际照明展览会
5月8-10日，2024宁波国际照明展览会在宁波国际会展中心举办。国星光电携丰富多样的LED照明产品技术方案亮相展会，与合作伙伴、行业同仁齐聚一堂，探讨多场景照明应用发展新趋势，挖掘市场新机遇。
国星光电成功斩获“2023年度科技先锋奖（科技进步奖）”
近日，佛山市科技人才协会公布佛山市2023年度科技进步奖结果，国星光电牵头的“高性能新型显示器件关键封装技术及集成应用”项目成功斩获“2023年度科技先锋奖（科技进步奖）”，标志着公司科技创新能力和成果转化水平获得社会的高度认可
国星光电奋力夺取高质量发展“开门红”
聚力创新，攀高突破。作为国星光电科技创新工作的“最强大脑”——研究院开工即召开专项会议，以公司战略和市场需求为导向，立足科技自立自强，聚焦关键核心技术攻关和
英飞凌与安克联合成立创新应用中心
英飞凌科技股份公司近日宣布与全球充电技术领域的领导者安克创新(Anker Innovations)在深圳联合成立创新应用中心。这一合作旨在推动高能效充电解决方案的开发，以减少二氧化碳排
国星光电GT1010控本提质见实效
2023年9月国星光电重磅推出全新GT1010系列产品（中文名为“星驰”），一经问世便迅速获得了行业客户的高度认可和好评，点燃市场“热焰”。
国星光电：引领智能穿戴领域的技术革新
在智能穿戴设备领域，国星光电凭借在LED封装领域的领先优势，成功开发出一系列创新产品，为智能手表/手环、智能耳机等设备提供健康感测与超高清显示技术方案。这些技术方案不仅提升了设备的科技感，还为定制化和高品质的智能穿戴产业注入新活
国星光电再添两项业界荣誉桂冠
近日，备受业界瞩目的2023年度高工LED年会暨十五周年庆典在深圳隆重召开。国星光电凭借多年来在显示科技领域的深耕细作以及对新兴应用场景的深入探索，摘得高工金球奖两项大奖——“卓越贡献企业奖”及“创新产品奖”。这无疑再次证明
国星光电聚焦SiC及GaN创新应用持续发力
近日，国星光电作为A级单位参编发布的《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》和《2023氮化镓（GaN）产业调研白皮书》在行家说2023碳化硅&氮化镓产业高峰论坛上正式发布，并在行家极光奖颁奖典礼上成功斩获“年度优秀产品奖”。
国星光电Micro LED新品nStar Ⅲ有何优势？
采用国星光电自主研发的巨量转移技术路线，实现＞50多万颗Micro LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，转移良率＞99.9%。此外，国星Micro LED研发平台未来还可支持12寸以内基板上芯片多次拼接键合
发表于 12-12 14:36
•580次阅读
国星光电成功成功点亮1.84英寸Micro LED全彩显示屏
采用国星光电自主研发的巨量转移技术路线，实现＞50多万颗Micro LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，转移良率＞99.9%。此外，国星Micro LED研发平台未来还可支持12寸以内基板上芯片多次拼接键合
发表于 12-08 10:07
•343次阅读
国星光电成功点亮Micro LED新品nStar Ⅲ
基于自主搭建的Micro LED创新研发平台，国星光电全力推进Micro LED新型显示项目开发，按下关键技术攻坚进程的“加速键”。
工商网监
评论