审核编辑:彭静
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
氮化镓
+关注
关注
59文章
1610浏览量
116138
原文标题:【半导光电】氮化镓器件应用与集成化技术详解
文章出处:【微信号:今日光电,微信公众号:今日光电】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
什么阻碍氮化镓器件的发展
=rgb(51, 51, 51) !important]与砷化镓和磷化铟等高频工艺相比,氮化镓器件输出的功率更大;与LDCMOS和碳化硅(SiC)等功率工艺相比,
发表于 07-08 04:20
如何用集成驱动器优化氮化镓性能
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
发表于 11-16 06:23
什么是氮化镓功率芯片?
电源和信号,一直是业界无法实现的。因为硅器件的开关速度太慢,而且存在驱动器和 FET 之间的寄生阻抗、高电容硅 FET 以及性能不佳的电频转换器/隔离器,导致了硅器件无法做到更高的频率。氮化
发表于 06-15 14:17
氮化镓功率芯片的优势
更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。
更快:氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
发表于 06-15 15:32
为什么氮化镓(GaN)很重要?
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅技术相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中,传统硅器件在能量转换方面,已经达
发表于 06-15 15:47
为什么氮化镓比硅更好?
,在半桥拓扑结构中结合了频率、密度和效率优势。如有源钳位反激式、图腾柱PFC和LLC。随着从硬开关拓扑结构到软开关拓扑结构的改变,初级FET的一般损耗方程可以最小化,从而提升至10倍的高频率。
氮化镓功率芯片前所未有的
发表于 06-15 15:53
评论