半导体材料：GaN（氮化镓）的详细介绍

三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，已成为全球半导体技术和产业竞争焦点。

GaN（氮化镓）

氮化镓是一种宽能隙材料，它能够提供与碳化硅（SiC）相似的性能优势，但降低成本的可能性却更大。业界认为，在未来数年间，氮化镓功率器件的成本可望压低到和硅MOSFET、IGBT及整流器同等价格。

氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。

由于对高速、高温和大功率半导体器件需求的不断增长，使得半导体业重新考虑半导体所用设计和材料。随着多种更快、更小计算器件的不断涌现，硅材料已难以维持摩尔定律。由于氮化镓材料所具有的独特优势，如噪声系数优良、最大电流高、击穿电压高、振荡频率高等，为多种应用提供了独特的选择，如军事、宇航和国防、汽车领域，以及工业、太阳能、发电和风力等高功率领域。

GaN/氮化镓 - MGZ31N65

推荐一款来自台湾美禄的GaN/氮化镓 - MGZ31N65，该芯片常温常压下是纤锌矿结构。是现今半导体照明中蓝光发光二极管的核心材料。工业上采用MOCVD和HVPE设备来外延生长。

GaN半导体材料有二种基本结构:纤锌矿(Wurtzite, WZ)和闪锌矿(Zinc blende, ZB)。常温常压下惟有纤锌矿结构为稳定相。纤锌矿结构由两套六角密堆积子格子沿c轴方向平移3c/8套构而形成，所属空间群为或P63mc。

GaN/氮化镓 - MGZ31N65的特性：

650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V

非常低的QRR

减少交叉损失

符合RoHS标准和无卤素要求的包装

审核编辑：汤梓红