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阵列天线方向图乘积原理简析

Mcpcbsz3 来源:看图说RF 作者:黄岩岛岛主 2022-11-16 10:12 次阅读

光的双缝干涉实验

光也是电磁波,符合空间电磁场矢量叠加原理。

光的双缝干涉会形成明暗相间的条纹(图片来自网上):

c4983fb8-64f2-11ed-8abf-dac502259ad0.png

光源在a处,光线射到尺寸相同的缝隙b和c时,就发出来频率、幅度、相位都相同的两束光,这两束光是相干光源。

1、如果上图S1、S2、F都是平行的,且abc是等腰三角形,那么从b和c发出来的两束相干光到达屏幕F的正中心(对称轴)位置的路径差为0,两个光源等幅度同相叠加,会形成亮斑;

2、如果偏离对称轴一个角度,b和c发出来的光到达屏幕F,两个光源的路径差达到半波长,则会等幅度反相抵消形成暗斑;

3、再偏离一个角度,b和c发出来的光到达屏幕F,两个光源的路径差可能达到一个波长,则又会等幅度同相叠加形成亮斑;

……

依次循环下去,于是在屏幕F上形成明暗相间的条纹。

这与阵列天线的增益概念是一样的:最亮的亮斑亮了多少,相当于是天线增益的增加值。

可见光的波长在390~780nm之间,挡板S2上刻出的两条互相接近的缝隙,其间距必定远大于可见光波长,所以上图双缝干涉实验形成方向图的增益增加值达到了3dB。

方向图相乘原理

如下图所示N个振子排列呈竖直的直线,相邻振子之间为等间距d,每个振子与第1个振子之间的距离分别为d0~dN-1。

c4d3f864-64f2-11ed-8abf-dac502259ad0.png

θ表示倾角方向。

设第n个振子上的激励电流为In ,每个振子均在远场形成一平面波,场强与激励电流呈正比,则第n个振子在远场观察点A(r,θ)处产生的电场可以表示为:

c4f736d0-64f2-11ed-8abf-dac502259ad0.png

f(θ)表示单个振子在空间不同方向上产生的归一化电场值,是单振子方向图;

a表示与振子形式有关的比例系数;

k= 2π/λ,表示波数,其中λ表示信号的波长。由于各振子空间位置不同,故在远场观察方向上产生的路径差也是不同的。在上图中标出了蓝色字体d1*sinθ,表示第2个振子与第1个振子之间在θ方向的路径差。

路径差则引起相位差,以第1个振子为参考点,从上式中可以看出其相对相位为:

c50dde26-64f2-11ed-8abf-dac502259ad0.png

根据矢量叠加原理,可得A(r,θ)处的电场值:

c52b2e0e-64f2-11ed-8abf-dac502259ad0.png

上式中4πr有点像球面积公式,r上少了个平方符号,这是因为所求的是电场,而不是功率(功率与r的平方呈反比);

e-jkr表示电磁波相位在空间距离上随着r的变化而变化;

ejkdn*sinθ表示每个振子与第1个振子之间的路径相位差;

在上式中,定义函数F(θ)为:

c5513f4a-64f2-11ed-8abf-dac502259ad0.png

F(θ)就是阵列方向图函数,方向图是一个归一化的无量纲值,可以将前面公式中的所有常数都忽略掉。再令:

c56e6980-64f2-11ed-8abf-dac502259ad0.png

B(θ)表示阵列因子,与振子的辐射特征无关;F(θ)就可以写成下式:

c5905f7c-64f2-11ed-8abf-dac502259ad0.png

因为f(θ)表示单振子方向图,B(θ)表示阵列因子(与振子方向图无关)。

上式表示阵列方向图是单振子方向图f(θ)与阵列因子B(θ)之积,这就是方向图乘积原理。

方向图乘积原理有个前提:每个振子的方向图f(θ)都是一致的。

上面推导公式的例子是一维的直线阵列,方向图乘积原理也很容易扩展到二维的平面阵列,在二维平面阵列中,每个振子的方向图用f(θ,φ)表示。

方向图乘积原理常用于直线阵列、平面阵列,

方向图乘积原理不能直接用于曲面阵列(例如圆柱阵列),

因为每个振子的f(θ,φ)都是不同的,都随着振子在圆柱上的位置而旋转一个角度。

总结

光的双缝干涉实验,可视化地揭示了阵列天线方向图乘积原理;

方向图乘积原理有个前提:每个振子的方向图f(θ)都是一致的。

方向图乘积原理适用于二维的平面阵列,在二维平面阵列中,每个振子的方向图用f(θ,φ)表示。

方向图乘积原理不能直接用于曲面阵列。





审核编辑:刘清

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原文标题:050_阵列天线方向图乘积原理

文章出处:【微信号:看图说RF,微信公众号:看图说RF】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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