调节 MOSFET 阈值电压的最直接的工艺方法就是对 n-MOSFET 和 p-MOSFET的沟道区分别进行离子注入,从而使其阈值电压达到预期值。另外,在沟道区为防止源漏穿通而引入的高能量离子注入,以及在栅电极形成后为减少短沟道效应而从源漏端大角度地侧面离子注入,也会对 MOSFET 的阈值电压有直接影响。沟道工艺在一定程度上还与双阱工艺相关。
沟道工艺是集成电路的核心工艺之一,它确定了场效应晶体管的基本特性,如阈值电压、短沟道特性、噪声特性、穿通(Punch-througb)特性等,其目的是使场效应晶体管具有稳定的符合要求的电学参数,如阈值电压等。随着器件尺寸的不断缩小,出现了很多会影响阈值电压的因素,如栅氧厚度的波动,多晶硅栅长和宽度的变化,多晶硅栅的耗尽效应和掺杂的波动,侧墙的宽度,以及源漏注入LDD 等。例如,为了改善短沟道效应,侧墙和轻掺杂漏工艺在20 世纪80 年代被引入。为了控制器件的穿通,在沟道区之间注入的基础上,也使用了大角度回转的从栅的侧面注入。接下来先后引入了氮氧化硅栅介质和高K栅介质层,以解决栅氧化层变薄引起的器件特性恶化问题。所以在一定程度上说,沟道工艺己经不再局限于沟道区的离子注入。例如,对于 40nm 以下的工艺,通过源漏锗硅(SiGe)外延对沟道区施加应力,可以提高 MOSFET 的开关速度。
由于 SoC 的应用越来越广泛,在一个集成电路中会有多种特性的场效应晶体管存在,它们工作在不同的电源电压和阈值电压条件下,同时器件尺寸(长宽)持续缩小,电源电压持续下降也导致阈值电压随之下降,这就使得器件的漏电和噪声问题变得越来越难以解决,随机因素显著增加,因此给沟道工艺带来了严峻的挑战。
审核编辑 :李倩
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
原文标题:沟道工艺(Channel Process)
文章出处:【微信号:Semi Connect,微信公众号:Semi Connect】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
相关推荐
N沟道增强型MOSFET(N-Channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)作为一种重要
发表于 08-23 14:02
•501次阅读
场效应管(Field-Effect Transistor, FET)的N沟道和P沟道是其两种主要类型,它们在导电机制、结构特点、工作原理及应用场景上存在显著差异。要准确判断一个场效应管是N沟道还是P
发表于 08-13 17:08
•552次阅读
PMOS(Positive channel Metal Oxide Semiconductor,P 沟道金属氧化物半导体)工艺制程技术是最早出现的MOS 工艺制程技术,它出现在20世纪
发表于 07-18 11:31
•915次阅读
Littelfuse P沟道功率MOSFETs,虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名,在传统的应用范围也较有限,然而,随着低压(LV)应用需求的增加, P沟道功率MOSFET的应用范围得到拓展。
发表于 04-02 14:27
•1145次阅读
沟道通孔(Channel Hole)指的是从顶层到底层垂直于晶圆表面,穿过多层存储单元的细长孔洞。
发表于 03-20 10:19
•987次阅读
沟道通孔(Channel Hole)指的是从顶层到底层垂直于晶圆表面,穿过多层存储单元的细长孔洞。这些通孔贯穿整个堆叠结构,并填充了导电材料,它们在每个存储层之间形成导电通道,从而使电子能够在在存储单元间移动,进行读取、写入和擦除操作。
发表于 03-20 10:17
•786次阅读
CMOS是一个简单的前道工艺,大家能说说具体process吗
发表于 01-12 14:55
场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。根据导电沟道的类型,场效应晶体管可以分为N沟道和P沟道两种类型。本文将对N沟道
发表于 12-28 15:47
•9445次阅读
P沟道MOS管(P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称PMOSFET)是一种常见的场效应晶体管,广泛应用于各种
发表于 12-28 15:39
•4395次阅读
和p沟道MOS管进行详细介绍。 一、n沟道MOS管 结构 n沟道MOS管(N-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transi
发表于 12-28 15:28
•1.7w次阅读
栅极则负责控制这个通道的导电性。 MOS晶体管既可以是N沟道(n-channel)型的,也可以是P沟道(p-channel)型的。N沟道型M
发表于 11-30 14:24
•1077次阅读
今天分享另一篇网上流传很广的22nm 平面 process flow. 有兴趣的可以与上一篇22nm gate last FinFET process flow 进行对比学习。 言归正传,接下来介绍平面工艺最后一个节点22nm
发表于 11-28 10:45
•1.1w次阅读
p沟道和n沟道的区别 n沟道和p沟道怎样区分? 区分p沟道和n沟道的关键在于材料的杂质掺入和本征
发表于 11-23 09:13
•3888次阅读
ARM定义了两个低功耗接口(Low Power Interface),用于低功耗控制握手,分别是Q-Channel和P-Channel。
发表于 10-26 14:42
•1175次阅读
ARM定义了两个低功耗接口(Low Power Interface),用于低功耗控制握手,分别是Q-Channel和P-Channel。
发表于 10-24 10:49
•1584次阅读
评论