铁电存储器凭借诸多特性,正在成为存储器未来发展方向之一。加贺富仪艾电子旗下代理品牌富士通半导体利用FeRAM(富士通半导体的铁电随机存取存储器产品)的高速写入、高读写耐久性(多次读写次数)等特点,为客户提供了一系列嵌入式LSI产品,包括RFID LSI、身份验证LSI以及定制LSI。
FeRAM嵌入式RFID LSI
富士通半导体开发和生产两个 RFID LSI 系列。一个系列是在HF(高频:13.56MHz)下工作的产品,另一个是UHF(超高频:860至960MHz)下运行的产品。 特征
高速写入性能:嵌入式FeRAM的高速性能增强了写入操作的吞吐量。
通信距离稳定:低功耗写入,在写入和读取操作时可实现相同的通信距离。相比之下,带有EEPROM的标签在写入操作时消耗大量功率,使通信距离变短。
高密度存储器:高速写入功能可在标签上实现大尺寸存储器。但是标签嵌入式EEPROM的速度还不够快,无法采用大尺寸存储器。
高耐久性:保证最大1万亿次读/写操作。该功能使标签的长期使用或重复使用成为可能。
适用的国际标准:富士通RFID LSI产品系列基于ISO15693,ISO18000-3,6。
FeRAM嵌入式射频标签的高速性能
记录标签本身的历史记录和质量检查信息
在不打开包的情况下更改标签中的参数
通过提高吞吐量降低运行成本
高速交付图像 产品展示
FeRAM嵌入式身份验证LSI
富士通半导体存储器解决方案提供FeRAM嵌入式认证IC。FeRAM嵌入式IC在IC卡等安全应用中是经过验证的实用工具。
MB94R330是FeRAM认证IC,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术,用于形成非ー易失性存储单元。
MB94R330采用基于两线串行接口(I²C BUS)、硬件加密宏和专有控制内核的独创通信协议。
MB94R330适用于检测克隆的外围设备和附件,用于打印机,多功能打印机等电气设备。主机系统和外围设备之间的质询和响应身份验证能够识别授权和未经授权的部件。
除上述产品外,富士通半导体还有足够的灵活性来定制适合客户的应用要求。
FeRAM嵌入式定制LSI
FeRAM适用于具有逻辑或模拟电路的单芯片解决方案,并且不会降低CMOS规格。富士通半导体存储器解决方案利用这一优势,生产FeRAM嵌入式产品,如用于RFID和IC卡的LSI。富士通半导体可以根据您的要求定制这些产品,也可以提供带有FeRAM的定制LSI。由于FeRAM同时具有RAM和ROM的优势,因此使用FeRAM可以减少您的开发挫折,并增加您的便利性。
带FeRAM的定制IC
使用 FeRAM 宏的应用程序
带有FeRAM的定制LSI可用于各种应用,并为家用电器、办公机器和移动终端提供安全功能、认知信息和环境变量存储等额外功能。
审核编辑:郭婷
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原文标题:从三个维度了解FeRAM嵌入式LSI产品阵容
文章出处:【微信号:Fujitsu_Semi,微信公众号:加贺富仪艾电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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