STT-MRAM非易失性随机存取存储器是一款像SRAM一样 高速、高耐久性、单字节访问的工作,也可以像ROM/Flash一样非挥发性,保留时间长的存储。MRAM供应商英尚微支持提供相关技术支持。
STT-MRAM的优点
•足够快,可以作为工作记忆→更换psRAM和SRAM
•非易失性,无需电源即可维护数据→替换nvSRAM、NOR
•无电容器,无需电池→更换nvSRAM+Super Cap。和SRAM+电池
MRAM产品应用
•工业、汽车、航空电子和航天应用
-宽温度范围,低软错误率,比Flash更可靠
•物联网和关键任务系统
-断电时立即备份
-无需从Flash启动
-无需复制到DRAM或SRAM
•医疗系统
-快速数据记录
•企业数据存储
-写入缓冲区、元数据存储、索引存储器
•更换LP SRAM、NOR闪存、EEPROM
•丰富的嵌入式应用程序
-在高性能多处理器系统中替换大缓存
-用于AI系统的分布式持久存储器
-更换eFlash、eSRAM和eDRAM
审核编辑:汤梓红
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
相关推荐
数字电位器存储类型标注具有“易失性”,他的意思是不是说,假设当前已经调节好电位器处于3.5kΩ这个位置,那么断电再上电后,电位
发表于 11-21 07:15
这个芯片编程设置好以后,掉电会遗失设置吗?里面有没有非易失存储器?
发表于 11-12 07:16
运行时的主要存储器,因为它提供了快速的数据访问速度,这对于执行程序和处理数据至关重要。 随机存取存储器的特点 快速访问速度 :RAM的访问时间非常短,通常在纳秒级别,这使得它能够快速响应CPU的指令和数据请求。
发表于 10-14 09:51
•313次阅读
存储器的类型,我们可以将其分为两大类:易失性存储器(Volatile Memory)和非易失性存储器(Non-Volatile Memory
发表于 10-10 15:42
•432次阅读
铁电存储器(Ferroelectric RAM, FRAM)是一种结合了RAM的快速读写能力和非易失性存储特性的
发表于 09-29 15:18
•304次阅读
随机存储器最显著的特点是其易失性,即当电源关闭时,存储在RAM中的数据会立即丢失。这是因为RAM依赖于电流来维持其
发表于 09-26 18:18
•620次阅读
存储器芯片是计算机和其他电子设备中用于存储数据的关键组件。它们可以是易失性的,如动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取
发表于 09-18 11:04
•608次阅读
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)指的是即电可擦除可编程只读存储器。这是一种特殊的半导体存储设备,以其非易
发表于 09-05 10:47
•1432次阅读
内存储器和外存储器作为计算机系统中不可或缺的两大部分,它们在速度、容量、易失性、功能以及应用场景等方面存在显著差异。以下将详细介绍这两者之间的区别。
发表于 08-22 14:57
•5791次阅读
非易失性存储器,主要用于存储固件、操作系统和其他重要数据。 存储方式: RAM存储器使用动态存储器(DRAM)或静态
发表于 08-06 09:17
•561次阅读
存储器是计算机系统中用于存储和读取数据的硬件组件,根据存储介质和工作原理的不同,存储器可以分为多种类型。本文将从易
发表于 07-15 15:53
•3474次阅读
该专利涉及一种新型非易失性存储装置及其制作工艺。具体而言,其步骤如下:首先,制备包含器件区与非器件区的基底;接着,在基底上依次沉积第一电极材
发表于 05-06 10:33
•339次阅读
瑞萨电子公司日前宣布,该公司已开发出用于嵌入式自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的电路技术,以下简称MRAM)具有快速读写操作的测试芯片。
发表于 02-25 10:53
•787次阅读
MRAM的基本结构是磁性隧道结,研发难度高,目前主要分为两大类:传统MRAM和STT-MRAM,前者以磁场驱动,后者则采用自旋极化电流驱动。
发表于 01-22 10:50
•474次阅读
是Volatile RAM(易失性存储器),又称为SRAM(Static Random Access Memory,静态随机访问存储器);另一种是Non-volatile RAM(非易
发表于 01-12 17:27
•2704次阅读
评论