补偿侧墙 (Offset Spacer)和n/p 轻摻杂漏极 (n/ pLDD)工艺
补偿侧墙和 n/p 轻摻杂漏极工艺示意图如图所示。
首先沉积一薄层氮化硅或氮氧化硅(通常约2nm),然后进行回刻蚀(etch-Back),在栅的侧壁上形成一个薄层侧墙(Spacer)。在补偿侧墙刻蚀后,剩下的氧化层厚度约为 2nm。 在硅表面保留的这一层氧化层,在后续每步工艺中将发挥重要的保护作用。补偿侧墙用于隔开和补偿由于 LDD 离子注入(为了减弱短沟道效应)引起的横向扩散,对于 45nm/28nm 或更先进的节点,这一步是必要的。 然后分别对n-MOS和 p-MOS 进行轻掺杂漏极(LDD)离子注入。完成离子注入后,用尖峰退火(Spike Anneal)技术去除缺陷并激活 LDD 注入的杂质。nLDD 和pLDD离子注入的顺序、能量、剂量,以及尖峰退火或 RTA 的温度,对晶体管的性能都有重要的影响。
审核编辑 :李倩
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原文标题:前段集成工艺(FEOL)-4
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