凭借高性能和标准CMOS兼容集成工艺,体声波(BAW)滤波器已广泛用于移动通信系统的消费类产品中。然而,对于传统基于氮化铝(AlN)的BAW滤波器来说,仅通过纯声学方法来满足多个分配的具有超过5%相对带宽的5G频带是一项挑战。
近日,武汉大学孙成亮教授研究团队开发了一种基于Al0.8Sc0.2N薄膜的体声波谐振器(FBAR),用于射频(RF)滤波器的设计。通过利用高质量的Al0.8Sc0.2N薄膜,所制造的谐振器表现出14.5%的Keff²和高达62的品质因数(FOM)。该谐振器的频率温度系数(TCF)为−19.2ppm/°C,表明其具有优异的温度稳定性。所制造的滤波器的中心频率为4.24 GHz,-3dB带宽为215 MHz,插入损耗(IL)为1.881 dB,抑制大于32dB。这项工作为实现工作在5G频段的宽带声波滤波器的开发铺平了道路。
在这项研究工作中,所设计的压电薄膜体声波谐振器由生长在硅(Si)衬底(725 μm厚)上的六个薄膜组成。腔外两个附加的钼(Mo)层(120nm和37nm )分别设计在顶部和底部电极上,以降低电极电阻。在此设计的基础上,利用与CMOS兼容的微加工工艺制造出AlScN基的FBAR。
基于Al0.8Sc0.2N薄膜的FBAR
制造基于AlScN的FBAR主要工艺步骤
下图显示了研究人员制造的滤波器的扫描电子显微镜(SEM)图像和电路示意图。该滤波器由8个元件组成,包括4个串联谐振器和4个并联谐振器。为了实现通带传输特性,37 nm的Mo质量负载层被添加到并联谐振器,以使其谐振频率低于串联谐振器。此外,在每个相邻谐振器之间的互连线上构造附加的Mo层,以提高滤波器的性能。该滤波器的中心频率为4.24GHz,-3dB带宽为215 MHz,IL为1.881dB,抑制大于32dB。中心频率下测得的回波损耗小于-12 dB,表示在无任何辅助电路的情况下可实现50 Ω阻抗匹配。
基于Al0.8Sc0.2N的FBAR滤波器实验结果
简而言之,研究人员开发了一种基于Al0.8Sc0.2N的FBAR,用于声学MEMS滤波器的设计。该FBAR器件通过与CMOS兼容的微加工工艺制造,包括溅射沉积、电感耦合等离子体刻蚀和腔体释放。研究人员对Al0.8Sc0.2N薄膜的微观结构和晶体结构特性进行了表征。结果表明,Al0.8Sc0.2N层具有良好的c轴择优取向。该FBAR具有大的e33(2.08 C/m²)、14.5%的Keff²和高达62的FOM。此外,还研究了Al0.8Sc0.2N基FBAR的温度特性。基于上述谐振器制造的滤波器显示出5G射频前端应用的强大潜力。
审核编辑:郭婷
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原文标题:5G宽带应用的AlScN薄膜体声波谐振器
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