RL78系列MCU Data Flash使用介绍

一、Data Flash用途介绍

RL78系列的MCU基本都是有数据闪存的，这也是RL78 MCU的特色之一，用户能使用它存储产品的标定参数，运行数据等，可以省去外面的存储器件（如EEPROM），有效的降低了用户的硬件成本。

二、Data Flash特点

用户能基于瑞萨官方提供的库来使用MCU内部的数据闪存，虽然MCU内部的闪存仍以1K字节块作为单位，但是用户可以按照字节进行读写。RL78资源的不同，对应的内部数据闪存的大小也不尽相同，一般大小在2K-8K字节范围之间，就单个地址，当前读写次数能达到1,000,000次，可在1.8-5.5伏电压范围内进行操作。

三、Data Flash使用说明

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Data Flash应用库的下载：

如果你用的是CC-RL编译器，请在如下地址下载应用库和API应用文档：

JP_R_FDL_RL78_T04_V1.05_CCRL_A_E.zip

https://www.renesas.cn/cn/zh/document/upr/data-flash-library-type04-ver105-cc-rl-compiler-rl78-family?language=en

如果你用的是CA78K0R编译器，请在如下地址下载应用库和API应用文档：

JP_R_FDL_RL78_T04_V1.05_B_E.zip

https://www.renesas.cn/cn/zh/document/upr/data-flash-library-type04-ver105-ca78k0r-compiler-rl78-family

2

避开MCU内部RAM相关区域：

根据MCU的硬件手册和《Self RAM list of Flash Self-Programming Library for RL78 Family》规定，有些MCU的RAM部分区域不能被数据库使用，因此需要在section设置进行避开，否则编译会出错，不同MCU要求也不尽相同，以R5F100LE为例，闪存库仅能使用RAM FFE00H ～ FF2FFH以外的区域，如下。

如下是基于R5F100LE在CS+上的具体section配置，以避开相应的区域，其他型号的MCU也可参考。

四、Data Flash测试结果

把RL78闪存库加载到应用工程里，然后调用初始化和读写函数进行数据的操作，当前使用RL78G13硬件板型号是“YRPBRL78G13”。然后在R5F100LE Data Flash的起始地址连续写一串数据“0x11,0x22,0x33, … 0xCC，并把它们读出出来，数据定义以及应用代码如下:

unsigned char Execute_status;

unsigned char W_DataFla_buff[3] = {0x11,0x22,0x33};

unsigned char W_DataFla_buff1[3] = {0x44,0x55,0x66};

unsigned char W_DataFla_buff2[3] = {0x77,0x88,0x99};

unsigned char W_DataFla_buff3[3] = {0xAA,0xBB,0xCC};

unsigned char R_DataFla_buff[12];

unsigned long int address=0x00;

R_FDL_Init();

Execute_status = R_FDL_BlankCheck(0x00,1024);

if (Execute_status == 0x1b)

{

R_FDL_Erase(0x00);

}

R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff[0],3);

address+=3;

R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff1[0],3);

address+=3;

R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff2[0],3);

address+=3;

R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff3[0],3);

address+=3;

Execute_status = R_FDL_Iverify(0x00,1024);

if (Execute_status == 0x1b)

{

return;

}

R_FDL_Read(0x00,&R_DataFla_buff[0],12);

PFDL_Close();

代码在硬件板“YRPBRL78G13”上运行测试结果如下，执行正确。

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END

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原文标题：RL78系列MCU Data Flash使用介绍

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