LTspice半导体二极管模型对于仿真至关重要,尤其是当您希望看到包括击穿行为和复合电流在内的结果时。然而,尽管LTspice中的半导体二极管模型是完整的,但有时您需要一个简单的“理想化二极管”模型来快速仿真,例如,有源负载、电流源或限流二极管。为了提供帮助,LTspice提供了理想化二极管模型的表示。
要在LTspice中使用这种理想化模型,请为具有唯一名称的二极管(D)插入.model语句,并定义以下一个或多个参数:Ron,Roff,Vfwd,Vrev或Rrev。
.model MyIdealDiode D(Ron=1 Roff=1Meg Vfwd=1 Vrev=2)
LTspice中的理想化二极管模型具有三个线性导通区域:开通、关断和反向击穿。正向导通和反向击穿可以使用电流限制参数Ilimit和revIlimit进一步指定。
.model MyIdealDiode D(Ron=1 Roff=1Meg Vfwd=1 Vrev=2 Ilimit=1 RevIlimit=1
此外,为了平滑关闭和导通状态之间的切换,还可以定义 epsilon 和 revepsilon 参数。
.model MyIdealDiode D(Ron=1 Roff=1Meg Vfwd=1 Vrev=2 Ilimit=1 RevIlimit=1 Epsilon=1 RevEpsilon=1)
在关断和导通状态之间也使用二次函数,使得理想化的二极管IV曲线在值和斜率上是连续的,因此在epsilon和revepsilon值指定的电压上发生跃迁。
在原理图中插入 .model 语句后,可以在元件属性中编辑二极管符号的值(Ctrl + 右键单击),以匹配您在语句中指定的名称。有关LTspice二极管型号的更多信息,请参阅帮助主题(F1)。
为了好玩,在下面的电路示例中,理想化二极管模型用于模拟MOSFET在其他非同步降压控制器中的RDS(ON)。通过使用理想化的二极管模型代替传统的肖特基二极管,可以轻松比较同步整流的导通损耗。
审核编辑:郭婷
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