高性能同步整流开关—5v3A同步整流ic U7712

内置超低导通阻抗的5v3A同步整流ic U7712

5v3A同步整流ic U7712内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。

支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构，也支持系统断续工作模式(DCM) 和准谐振工作模式 (QR)。

U7712集成有VDD欠压保护功能和VDD电压钳位。

U7712内置VDD高压供电模块，无需VDD辅助绕组供电，减低了系统成本。

5v3A同步整流ic U7712主要特性：

&反激拓扑副边同步整流功率开关

&支持“浮地”和“共地”同步整流两种拓扑

&支持断续工作模式 (DCM) 和准谐振工作模式(QR)

&<300uA 超低静态电流

&内置VDD高压供电模块，无需VDD辅助绕组供电

&内置 40V 功率 MOSFET

&内部集成保护：VDD 欠压保护 (UVLO)、VDD 电压钳位 (>5mA 钳位电流)

&封装信息 SOP-8

系统开机以后，5v3A同步整流ic U7712内部高压LDO从Drain管脚抽取电流向VDD电容供电。

当VDD电压低于欠压保护阈值后（3.1V 典型值），ic进入睡眠模式，同时内部同步整流MOSFET进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流MOSFET的体二极管实现续流。

当VDD电压高于VDD开启电压后（4V典型值），ic开始工作。

ic内部同步整流MOSFET只在副边续流期间才能开通。

在内部同步整流 MOSFET 开通瞬间，5v3A同步整流ic U7712漏-源(Drain-Source) 之间会产生电压尖峰。

为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致ic误动作，ic内部集成有前沿消隐电路(LEB)。

在LEB时间（约 1us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流MOSFET，直至消隐时间结束。

审核编辑：刘清