电池备份NV SRAM和NOVRAMS之间的比较

达拉斯半导体非易失性（NV）SRAM由内部电池备份。市场上的其他一些NV存储器，如NOVRAM，使用内部EEPROM备份数据。本应用笔记讨论了电池供电NV SRAM和NOVRAM之间的差异。

NVSRAM

达拉斯半导体NVSRAM（图1）具有内部锂电源和独立的控制电路，可持续监控V抄送超出公差条件。当这种情况发生时，锂电池会自动打开并无条件启用写保护以防止数据损坏。可以执行的写入周期数没有限制，微处理器接口也不需要额外的支持电路。Dallas NVSRAM 还可以仅依靠电池供电可靠地存储长达 10 年的数据。数据至少存储 100 年，当 V抄送已供电。DIP封装器件可用于代替直接符合常用的字节宽28或32引脚DIP标准的现有静态RAM。也可提供表面贴装部件。

图1.电池备份的NVSRAM。

诺夫拉姆

NOVRAM（图2）没有内部电池;相反，它们具有存储数据的内部EEPROM。数据使用包含存储和检索命令的自定义固件在EEPROM之间传输。这些命令可以是自动的，也可以通过硬件或软件启动。

图2.诺夫拉姆。

NVSRAM和NOVRAM之间的差异

NVSRAM和NOVRAM之间存在许多差异。为简单起见，差异分为以下几类：写入周期、存储和检索数据的时间、易用性和标准引脚排列。

写入周期

电池备份的NVSRAM可以无限次写入。使用 NOVRAM 时，写入周期是有限的。EEPROM通常只能写入1，000，000次，然后就会磨损。

存储和检索数据的时间

使用达拉斯NVSRAM，用户不必担心存储或检索数据。数据会自动存储和调用。在达拉斯NVSRAM中存储数据（功率损耗）的时间为1.5μs，而NOVRAM为10ms。要在EEPROM中存储或检索数据，用户必须使用软件命令或切换引脚。必须完成多个地址读取序列才能存储数据。NOVRAM需要20μs和几个地址读取序列来检索存储在EEPROM中的数据。在向EEPROM存储或检索数据时，无法读取或写入NOVRAM。

易用性

达拉斯NVSRAM使用起来更方便，因为它们不需要任何额外的组件。NOVRAM需要一个额外的电容器来为EEPROM供电。还建议在芯片使能或写使能引脚和V之间使用电阻器抄送以避免数据损坏。

除了额外的组件外，NOVRAM还需要自定义固件来存储和调用来自EEPROM的数据。另一方面，Dallas NVSRAM不需要额外的固件来处理保存和/或检索数据。

标准引脚排列

所有达拉斯NVSRAM都兼容JEDEC。NOVRAM具有额外的引脚，使该器件与JEDEC标准SRAM和NVSRAM插座不兼容。额外的引脚用于存储和召回操作。在某些器件上，片选引脚被存储/召回启用引脚取代。

结论

与NOVRAM相比，使用NVSRAM的优势在于NVSRAM可以快速存储数据，无需自定义 需要固件，写入周期不受限制，无需其他组件，引脚布局 兼容 JEDEC。

审核编辑：郭婷