主侧墙和N+/P+源漏的形成
主侧墙（Main Spacer）和N+/P+ 源漏（S/D）的形成
形成主侧墙和n+/p+源漏的工艺示意图如图所示。
首先，沉积四乙基原硅酸盐氧化物（即使用正硅酸乙酯TEOS前驱的CVD氧化物，简称TEOS-ox）和氮化硅的复合层，并对TEOS-ox和氮化硅进行等离子体蚀刻，形成复合主侧墙。
然后对n-MOS和P-MOS区域分别进行自对准的n+和p+注入形成源漏。RTA和尖峰退火被用于去除缺陷，并激活在源漏注入的杂质。
审核编辑：刘清
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原文标题：前段集成工艺（FEOL）-5
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