双镶嵌 (Dual-Damascene)和多层金属互连接 (Multi-Interconnection)通孔-1(V1)和金属-2 (M2)互连的形成是通过双镶嵌 (Dual -Damascene)工艺实现的,如图所示。
双镶嵌工艺分为先通孔 (Via-First) 和先沟槽(Trench-First)两种技术。以先通孔技术为例,首先沉积IMD2层(如 SiCN层,厚度约为 50nm,含碳低kPECVD 氧化硅黑金刚石层厚度约为 600nm),然后形成V1的图形并进行刻蚀。多层IMD1 的主要作用是提供良好的密封和覆盖更加多孔的低k介质。 为了平坦化,需要在通孔中填充底部抗反射涂层 (Bottom-Ani-Rellective Coatings, BARC),并沉积一层 LTO (Low Temperature Oxide)。随后形成M2 的图形并刻蚀氧化物,去除 BARC 并清洗后,沉积 Ta / TaN 阻挡层和 Cu 籽晶层,随后进行 Cu 填充(使用 ECP 法),并进行 CMP 平坦化,这样 M2 互连就形成了。 通过重复上述步骤,可以实现多层铜互连。相应的,先沟槽技术的双镶嵌工艺就是先实施 M2 沟槽制备再形成 V1 的图形并刻蚀氧化物,然后沉积阻挡层和籽晶层,最后进行 Cu 填充和 CMP 平坦化。
审核编辑 :李倩
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
原文标题:后段集成工艺(BEOL Integration Flow)- 2
文章出处:【微信号:Semi Connect,微信公众号:Semi Connect】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
相关推荐
AMD Alveo 加速卡使用有两种流程,AMD Vitis Software Platform flow 和 AMD Vivado Design Tool flow。比较常见的是 Vitis
发表于 11-13 10:14
•105次阅读
IMD2 工艺与 IMD1工艺类似。IMD2 工艺是指在第二层金属与第三层金属之间形成的介质材料,形成电性隔离。
发表于 10-25 14:49
•123次阅读
金属层2(M2)工艺与金属层1工艺类似。金属层2工艺是指形成第二层金属互连线,金属互连线的目的是
发表于 10-24 16:02
•150次阅读
请问TAS5754m在使用ROM flow时,I2S可以支持到96KHz吗?
发表于 10-22 08:28
近日,晶合集成在新工艺研发领域取得了重要突破。在2024年第三季度,晶合集成成功通过了28纳米逻辑芯片的功能性验证,并顺利点亮了TV,标志着其28纳米制程技术又迈出了坚实的一步。
发表于 10-10 17:10
•460次阅读
的配置(我将附上 ErayDemo 和我的项目)。
通过调试,我得出结论:两个模块都卡在 INTEGRATION_LISTEN 状态。
电气连接图片:
发表于 07-24 06:54
说到数据集成(Data Integration),简单地将所有数据倒入数据湖并不是解决办法。 在这篇文章中,我们将介绍如何轻松集成数据、链接不同来源的数据、将其置于合适的环境中,使其具有相关性并易于
发表于 04-22 17:59
•673次阅读
虚拟半导体工艺建模是研究金属线设计选择更为经济、快捷的方法 作者:泛林集团 Semiverse Solutions 部门半导体工艺与整合部高级经理 Daebin Yim l 由于阻挡层相对尺寸
发表于 04-09 17:11
•368次阅读
近日,上海发布了《2023年上海科技进步报告》,来自上海工研院的MEMS标准工艺模块及90纳米硅光集成工艺2项国际先进水平技术成果入选。
发表于 02-22 09:42
•840次阅读
HIM模块,即Heterogeneous Integration Module (HIM)异构集成模块,将分开制造的不同元件集成到更高级别的组件中,可以增强功能并改进工作特性,因此KOOM能够将采用不同制造
发表于 01-08 14:55
•409次阅读
SOLIDWORKS® Flow Simulation作为单独购买的产品提供,您可将其与 SOLIDWORKS Standard、SOLIDWORKS Professional和SOLIDWORKS Premium一起使用。
发表于 01-05 14:30
•722次阅读
世界上首个CMOS over CMOS的3D循序集成(3DSI),具有先进的金属线层级,这使得具有中间体BEOL的3DSI更接近商业化。 这一突破在论文“3D Sequential
发表于 12-28 16:14
•654次阅读
帮助imec确定使用半大马士革集成和空气间隙结构进行3nm后段集成的工艺假设 作者:泛林集团Semiverse™ Solution部门半导体
发表于 12-25 14:40
•276次阅读
HIM模块,即Heterogeneous Integration Module (HIM)异构集成模块,将分开制造的不同元件集成到更高级别的组件中,可以增强功能并改进工作特性,因此KOOM能够将采用不同制造
发表于 12-07 11:08
•333次阅读
今天分享另一篇网上流传很广的22nm 平面 process flow. 有兴趣的可以与上一篇22nm gate last FinFET process flow 进行对比学习。 言归正传,接下来介绍平面工艺最后一个节点22nm
发表于 11-28 10:45
•1.2w次阅读
评论