0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

后段集成工艺(BEOL Integration Flow)- 2

Semi Connect 来源:Semi Connect 2023-01-13 10:19 次阅读

双镶嵌 (Dual-Damascene)和多层金属互连接 (Multi-Interconnection)通孔-1(V1)和金属-2 (M2)互连的形成是通过双镶嵌 (Dual -Damascene)工艺实现的,如图所示。

ab9b90c0-92e5-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

双镶嵌工艺分为先通孔 (Via-First) 和先沟槽(Trench-First)两种技术。以先通孔技术为例,首先沉积IMD2层(如 SiCN层,厚度约为 50nm,含碳低kPECVD 氧化硅黑金刚石层厚度约为 600nm),然后形成V1的图形并进行刻蚀。多层IMD1 的主要作用是提供良好的密封和覆盖更加多孔的低k介质。 为了平坦化,需要在通孔中填充底部抗反射涂层 (Bottom-Ani-Rellective Coatings, BARC),并沉积一层 LTO (Low Temperature Oxide)。随后形成M2 的图形并刻蚀氧化物,去除 BARC 并清洗后,沉积 Ta / TaN 阻挡层和 Cu 籽晶层,随后进行 Cu 填充(使用 ECP 法),并进行 CMP 平坦化,这样 M2 互连就形成了。 通过重复上述步骤,可以实现多层铜互连。相应的,先沟槽技术的双镶嵌工艺就是先实施 M2 沟槽制备再形成 V1 的图形并刻蚀氧化物,然后沉积阻挡层和籽晶层,最后进行 Cu 填充和 CMP 平坦化。

审核编辑 :李倩

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 工艺
    +关注

    关注

    4

    文章

    563

    浏览量

    28730
  • 金属
    +关注

    关注

    1

    文章

    556

    浏览量

    24263

原文标题:后段集成工艺(BEOL Integration Flow)- 2

文章出处:【微信号:Semi Connect,微信公众号:Semi Connect】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    IMD2工艺是什么意思

    IMD2 工艺与 IMD1工艺类似。IMD2 工艺是指在第二层金属与第三层金属之间形成的介质材料,形成电性隔离。
    的头像 发表于 10-25 14:49 83次阅读
    IMD<b class='flag-5'>2</b><b class='flag-5'>工艺</b>是什么意思

    金属层2工艺是什么

    金属层2(M2工艺与金属层1工艺类似。金属层2工艺是指形成第二层金属互连线,金属互连线的目的是
    的头像 发表于 10-24 16:02 124次阅读
    金属层<b class='flag-5'>2</b><b class='flag-5'>工艺</b>是什么

    请问TAS5754m在使用ROM flow时,I2S可以支持到96KHz吗?

    请问TAS5754m在使用ROM flow时,I2S可以支持到96KHz吗?
    发表于 10-22 08:28

    晶合集成28纳米逻辑工艺通过验证

    近日,晶合集成在新工艺研发领域取得了重要突破。在2024年第三季度,晶合集成成功通过了28纳米逻辑芯片的功能性验证,并顺利点亮了TV,标志着其28纳米制程技术又迈出了坚实的一步。
    的头像 发表于 10-10 17:10 420次阅读

    集成电路工艺学习之路:从零基础到专业水平的蜕变

    集成电路(IC)作为现代电子技术的核心,其制造工艺的复杂性和先进性直接决定了电子产品的性能和质量。对于有志于进入集成电路行业的学习者来说,掌握一系列基础知识是至关重要的。本文将从半导体物理与器件
    的头像 发表于 09-20 13:46 536次阅读
    <b class='flag-5'>集成</b>电路<b class='flag-5'>工艺</b>学习之路:从零基础到专业水平的蜕变

    ERAY (FlexRay) 模块卡在INTEGRATION_LISTEN状态,为什么?

    的配置(我将附上 ErayDemo 和我的项目)。 通过调试,我得出结论:两个模块都卡在 INTEGRATION_LISTEN 状态。 电气连接图片:
    发表于 07-24 06:54

    什么数据集成(Data Integration):如何将业务数据集成到云平台?

    说到数据集成(Data Integration),简单地将所有数据倒入数据湖并不是解决办法。 在这篇文章中,我们将介绍如何轻松集成数据、链接不同来源的数据、将其置于合适的环境中,使其具有相关性并易于
    的头像 发表于 04-22 17:59 645次阅读

    通过工艺建模进行后段制程金属方案分析

    虚拟半导体工艺建模是研究金属线设计选择更为经济、快捷的方法 作者:泛林集团 Semiverse Solutions 部门半导体工艺与整合部高级经理 Daebin Yim l 由于阻挡层相对尺寸
    的头像 发表于 04-09 17:11 345次阅读
    通过<b class='flag-5'>工艺</b>建模进行<b class='flag-5'>后段</b>制程金属方案分析

    MEMS和硅光集成工艺成果入选《2023年上海科技进步报告》

    近日,上海发布了《2023年上海科技进步报告》,来自上海工研院的MEMS标准工艺模块及90纳米硅光集成工艺2项国际先进水平技术成果入选。
    的头像 发表于 02-22 09:42 812次阅读

    HIM模块异构集成如何开荒?HIM-EC电子烟模块首当其冲

    HIM模块,即Heterogeneous Integration Module (HIM)异构集成模块,将分开制造的不同元件集成到更高级别的组件中,可以增强功能并改进工作特性,因此KOOM能够将采用不同制造
    的头像 发表于 01-08 14:55 389次阅读

    SOLIDWORKS 2024 Flow Simulation

    SOLIDWORKS® Flow Simulation作为单独购买的产品提供,您可将其与 SOLIDWORKS Standard、SOLIDWORKS Professional和SOLIDWORKS Premium一起使用。
    的头像 发表于 01-05 14:30 696次阅读
    SOLIDWORKS 2024 <b class='flag-5'>Flow</b> Simulation

    CEA-Leti发布“突破性”3D循序集成 (3DSI)

    世界上首个CMOS over CMOS的3D循序集成(3DSI),具有先进的金属线层级,这使得具有中间体BEOL的3DSI更接近商业化。 这一突破在论文“3D Sequential
    的头像 发表于 12-28 16:14 634次阅读

    半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战

    帮助imec确定使用半大马士革集成和空气间隙结构进行3nm后段集成工艺假设     作者:泛林集团Semiverse™ Solution部门半导体
    发表于 12-25 14:40 260次阅读
    半大马士革<b class='flag-5'>集成</b>中引入空气间隙结构面临的挑战

    盘点孔科微电子HIM-EC异构集成模块应用电子烟行业凸显优势-PCBA方案板与电池电芯集成模块化简易组装

    HIM模块,即Heterogeneous Integration Module (HIM)异构集成模块,将分开制造的不同元件集成到更高级别的组件中,可以增强功能并改进工作特性,因此KOOM能够将采用不同制造
    的头像 发表于 12-07 11:08 317次阅读

    22nm平面工艺流程介绍

    今天分享另一篇网上流传很广的22nm 平面 process flow. 有兴趣的可以与上一篇22nm gate last FinFET process flow 进行对比学习。 言归正传,接下来介绍平面工艺最后一个节点22nm
    的头像 发表于 11-28 10:45 1.2w次阅读
    22nm平面<b class='flag-5'>工艺</b>流程介绍