如何正确测试包含DS2786开路电压电池监测器的电路板

本应用笔记介绍如何正确测试包含DS2786开路电压电池监测器的电路板。提供了分步测试程序，可以遵循该程序以确保电路板已正确组装.此外，本笔记还指导读者在DS2786组装到电路板上后如何正确编程EEPROM。

介绍

基于开路电压（OCV）的DS2786电量计出厂时，默认的OCV曲线和默认配置加载到EEPROM中。为了提高OCV电量计的精度并使DS2786适应特定应用，可能需要对DS2786的EEPROM进行重新编程。本应用笔记介绍如何对EEPROM进行编程和测试组装好的电路板。

执行板级测试

以下是在最终组装到电池组之前如何对基于DS2786的OCV板进行生产测试的示例。图1所示为利用DS2786所有功能的电路板原理图示例。所有关键测试点（有7个）在图中用圆圈数字表示。测试流程假设电路的所有分立元件都已经过测试，因此，目标是通过验证连接来验证电路板是否已正确组装。

图1.必须验证的电路板节点。

测试 1：测试初始化。该测试的目的是确定电路板上是否有任何直接短路并验证通信。在此步骤中成功与设备通信以读取电压寄存器可验证SDA和SCL连接（节点1）以及Pack+到VDD引脚（节点 2）和 V 形封装党卫军引脚（节点 3）连接。此外，通过读取此步骤中的电压寄存器并确认它是有效的测量值，连接到 V在可以验证引脚（节点 4）。

Force 4.0V from Pack+ to Pack-.		Force 4.0V from Pack+ to Pack-.
Wait 880ms.		Wait 880ms.
Read the Voltage Register:		Read the Voltage Register:
Fail board if communication is not possible.		Fail board if communication is not possible.
Fail board if voltage reading is inaccurate.		Fail board if voltage reading is inaccurate.

测试 2：验证 SNS（节点 5）。与SNS引脚的连接可以通过有效的电流测量进行验证。

Force 4.0V from Pack+ to Pack-.		Force 4.0V from Pack+ to Pack-.
Force 1.0A from Pack- to System VSS.		Force 1.0A from Pack- to System VSS.
Wait 880ms.		Wait 880ms.
Read the Current Register:		Read the Current Register:
Force 4.0V from Pack+ to Pack-.		Force 4.0V from Pack+ to Pack-.

测试 3：验证辅助输入 AIN0 和 AIN1（节点 6）。与 AIN0 和 AIN1 引脚的正确连接可以通过有效的电阻测量进行验证。此测试是可选的。

Connect a 10kΩ resistor from the Pack ID terminal to Pack-.
Connect a 10kΩ resistor from the Therm terminal to Pack-.
Force 4.0V from Pack+ to Pack-.
Wait 880ms.		Wait for the auxiliary input conversion.
Read AIN0 and AIN1:		4 Bytes.
Fail board if the AIN0/AIN1 readings are inaccurate.

测试 4：验证 V进度并对 EEPROM（节点 8）进行编程。用于将编程电压连接到 V 的测试点进度需要引脚来编程DS2786的EEPROM。通过编写和复制 EEPROM 并验证 EEPROM 是否已更新来验证此连接。电流偏移偏置寄存器（COBR）包含在EEPROM中，因此在对EEPROM进行编程之前校准COBR可能是有益的。

强制 4.0V 从包 + 到包-。
校准COBR。	如果需要。详情见下文。
写入参数 EEPROM 块：	32 字节。
将参数复制到 EEPROM 中。
等待 14 毫秒。	等待EEPROM复制。
将 0xFFh 写入参数块：	31 字节（不是内存地址 0x7Dh）*。
从EEPROM召回参数。
读取参数EEPROM模块：	32 字节。
如果从EEPROM读取的所有32字节与最初写入的32字节不匹配，则失败板。

*请勿将 0xFFh 写入内存地址 7Dh，否则从地址将更改，设备将停止响应当前从地址。

校准电流偏移偏置寄存器

电流失调偏置寄存器允许DS2786的电流测量值以25μV步长调整至+3.175mV至-3.2mV之间的任意值。COBR 的出厂默认值为 0x00h。下面列出了校准电路中DS2786电流失调的步骤：

为DS2786供电，确保检测电阻上没有电流流过。

将 0x00h 写入 COBR（内存地址 0x60h）。

等待 880 毫秒进行下一个转换周期。

读取当前寄存器。

尽可能多次重复步骤3和4以获得平均电流读数。

将平均电流读数的相反值写入COBR。

将值复制到 EEPROM（此步骤应与将所有值复制到 EEPROM 结合使用）。

总结

正确验证组装好的基于OCV的DS2786电量计需要测试电路中的每个焊接点。测试 1、2 和 3 可以合并为一个步骤，以减少测试时间，尤其是转换时间的延迟。

此外，在测试期间对EEPROM进行编程可以提供更有效的测试流程，并提供方便的时间施加将参数保存到EEPROM所需的编程电压，包括电流偏移偏置。

审核编辑：郭婷