数字IC版图设计中Power Mesh打的太宽怎么办

如果数字IC版图设计中Power Mesh打的太宽（尤其是VDD和VSS的Stripe靠近放置的情况），下方还放置的有标准单元，那么在出Pin的地方可能会存在Congestion，如下图所示，那么这种问题该如何解决呢？对于ICC、Innouvs、ICC2分别该如何解决呢？

 

解决方案：

1、调整PG structure，让电源地间隔放置。或者合理减少power，不要打太多、不要打太宽。根据以往经验和IR-drop分析的结果，可以在IR-drop满足的情况下，降低PG的宽度，不用占用太多布线资源。

2、一般在电源地Strap下面放置标准单元时，可能会在Strap的地方存在Congestion。这时可以限制工具在电源地Strap下面少放或者不放置标准单元，设置hard blockage，partial blockage/partial density control。

如下图所示，可以非常清晰的看到，大部分的拥塞都发生在PG Mesh附近，这可以通过对Power Mesh设置partial blockage来解决。



下面分别讲解一下在ICC/ICC2和Innovus该如何实现该需求。

ICC设置：


ICC2设置

实例：

Innovus设置：

方法1：将指定Layer的preroute视为Placement Blockage



方法2：在PG stripes下方创建Partial Placement Blockage





审核编辑：刘清