采用碳化硅SiC技术封装设计的SA111
SA111采用碳化硅（SiC）技术和领先的封装设计，突破了模拟模块的热效率和功率密度的上限。
SA111采用表面安装式封装，主体大小仅20mm x 20mm，提供32A持续输出电流，最高支持650V供电电压，开关频率最高可达1MHz。
这款热效率高的封装采用顶端散热方式，让用户能充分利用主板布局。
SA111的碳化硅MOSFET使得器件能经受更高的热应力，最高能承受175°C的结温。
SA111 SiC功率模块提供完全集成的解决方案，配备集成的栅极驱动、欠压锁定和有源米勒钳位，能提高器件控制力和保护能力。
业务拓展总监Jens Eltze表示：
“ SA111再次体现了Apex Microtechnology在非常小巧的占板面积内提供领先的大功率解决方案的能力。Apex荣获专利的PQ封装满足了市场对于采用顶部冷却的表面安装式器件的需求。 ”
有了表面安装式封装类型和非常小巧的体积，设计师们就能充分利用板面积，可以使用多个器件来设计对功率要求高的电路。
各种目标应用场景包括MRI梯度线圈驱动、磁轴承、电动机、测试设备、服务器风扇、功率因数补偿（PFC）、交流/直流转换器和直流/直流转换器。
审核编辑：刘清
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原文标题：APEX大功率半桥模块能在小巧的表面安装式封装中实现更高的功率密度
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