来源:SiSC半导体芯科技
随着光刻精度的不断提升,晶体管尺寸微缩逐渐接近硅原子的物理极限,摩尔定律似乎步入尽头。芯片性能的提升主要是通过工艺突破来实现,而这一途径的难度越来越大,随之封装性能的提升作为有效的补充越来越被重视。传统封装工艺不断迭代出的先进封装技术崭露头角,它继续着集成电路性能与空间在后摩尔时代的博弈。同时,晶圆键合(Wafer Bonding)、倒装芯片键合(Flip Chip Bonding)、混合键合等也是一项技术壁垒较高的新型工艺技术,且工艺要求极其严苛。
在14nm工艺后,衬底和晶片的厚度将成倍下降,热应力下的翘曲效应使得凸点桥接(Solder Bump Bridge) 失效异常严重。热压键合(TCB)、临时键合和解键合等技术方案在不断完善。键合材料从金属铝、铜等,再到聚合物材料的推陈出新,使得键合材料的创新与键合技术的发展逐渐相辅相成。
先进封装与键合工艺技术与时俱进,后摩尔时代下这一系列的技术不断更新,支撑了先进制程和先进封装的向前发展。2023年2月23日,晶芯研讨会将邀请半导体产业链代表领袖和专家,从先进封装、键合设备、材料、工艺技术等多角度,探讨先进封装与键合工艺技术等解决方案。
审核编辑黄宇
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